Journals →  Материалы электронной техники →  2013 →  #1 →  Back

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ
ArticleName Область гомогенности теллурида цинка
ArticleAuthor И. Х. Аветисов, Е. Н. Можевитина, А. В. Хомяков, Р. И. Аветисов, А. Ю. Зиновьев
ArticleAuthorData

Российский химико−технологический университет им. Д. И. Менделеева

И. Х. Аветисов, Е. Н. Можевитина, А. В. Хомяков, Р. И. Аветисов, А. Ю. Зиновьев

Abstract

Прямым физико−химическим методом исследована область гомогенности ZnTe в интервале температур 750—1455 K. Показано, что при хранении препаратов ZnTe на воздухе при комнатной температуре происходит окисление его поверхности, в результате которого определяемая концентрация сверхстехиометрического компонента смещается в сторону избытка теллура. Для неокисленных препаратов впервые было показано, что область гомогенности теллурида цинка носит двусторонний характер. Максимальная концентрация избыточного компонента составила: со стороны избытка теллура — 3,4 · 10−4 моль изб. Те/моль ZnTe при 1325 К, со стороны избытка цинка — 4,4 · 10−3 моль изб. Zn/моль ZnTe при 1292 К. Установлено, что при температурах ниже 1200 К линия солидуса имеет ретроградный характер. Учитывая результаты РФА и оптической микроскопии, сделан вывод, что полиморфный переход «вюрцит — сфалерит» в ZnTe протекает по перитектической реакции со стороны избытка обоих компонентов.

keywords Теллурид цинка, область гомогенности, полиморфный переход
References

1. Sato, K. ZnTe pure green light−emitting diodes fabricated by thermal diffusion / K. Sato, M. Hanafusa, A. Noda, A. Arakawa, M. Uchida, T. Asahi, O. Oda // J. Cryst. Growth. − 2000. − N 214—215. − Р. 1080—1084.
2. Sato, K. Recent developments in II—VI substrates / K. Sato, Y. Seki, Y. Matsuda, O. Oda // Ibid. − 1999. − N 197. − Р. 413—422.
3. Triboulet, R. CdTe and related compounds; physics, defects, hetero− and nano−structures crystal growth, surfaces and applications / R. Triboulet, P. Siffert. − Oxford (OX2 8DP.) : Elsevier Science, 2009.
4. Крегер, Ф. Химия несовершенных кристаллов / Ф. Крегер. − М. : Мир, 1969.
5. Абызов, А. С. Выбор полупроводникового материала для детекторов гамма−излучения / А. С. Абызов, В. М. Ажажа, Л. Н. Давыдов, Г. П. Ковтун, В. Е. Кутний, А. В. Рыбка // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. − 2004. − № 3. − С. 3—6.
6. Smith, F. T. J. A high temperature study of native defects in ZnTe / F. T. J. Smith // J. Phys. Chem. Solids. − 1971. − V. 32. − P. 2201—2209.
7. Feltgen, T. P—T—X−phase equilibrium studies in Zn—Te for crystal growth by the Markov method / T. Feltgen, J. H. Greenberg, A. N. Guskov, M. Fiederle, K. W. Benz // Int. J. Inorg. Mater. − 2001. − N 3. − P. 1241—1244.
8. Guskov, V. N. Thermodynamic principles of the synthesis of CdTe, ZnTe and CdZnTe solid solutions / V. N. Guskov, A. D. Izotov // Inorganic Mater. − 2008. − N 44. − P. 1409—1433.
9. Геско, Е. Н. Область гомогенности теллурида цинка / Е. Н. Геско, И. Х. Аветисов, Я. Л. Хариф // Тез. докл. III Всесоюз. конф. «Материаловедение халькогенидных полупроводников». − Черновцы, ЧГУ, 1991. − С. 54.
10. Пальванова, Н. В. Нестехиометрия теллурида цинка / Н. В. Пальванова, А. Ю. Зиновьев, Л. В. Романенкова, И. Х. Аветисов // III Всеросс. конф. «Физико−химические процессы в конденсированном состоянии и на межфазных границах». − Воронеж, 2006. − C. 596—599.
11. Зломанов, В. П. Нестехиометрия и реакционная способность неорганических соединений / В. П. Зломанов // Соровский образовательный журн. − 2001. − № 5. − С. 29—35.
12. Аветисов, И. Х. Перспективы разработки методов определения отклонений от стехиометрии / И. Х. Аветисов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2008. − № 3. − С. 68—75
13. Курбакова, Н. К. Взаимосвязь между условиями синтеза, нестехиометрией и свойствами полупроводникового теллурида кадмия: дисс. … канд. хим. наук / Н. К. Курбакова. − М., 1992. − 145 c.
14. Shiozawa, L. R. Researchon improved II—VI compounds, final report / L. R. Shiozawa, J. M. Jost, G. A. Sullivan // Contract AF 33(615)−2708. − 1965−1968.
15. Хариф, Я. Л. Термодинамика и нестехиометрия халькогенидов свинца и кадмия / Я. Л. Хариф, П. В. Ковтненко, А. А. Майер // Материаловедение полупроводников / под ред. В. М. Глазова. − М. : Металлургия, 1992. − С. 247—272.
16. Chiang, T. C. Part of Landolt—Börnstein — group III condensed matter numerical data and functional relationships in science and technology / T. C. Chiang, F. J. Himpsel. − V. 23a. − Subv. A. − Koch Chapter − DOI 10.1007/10377019_28. − Book−DOI 10.1007/b35974.
17. Миркин, Л. И. Справочник по рентгеноструктурному анализу поликристаллов / Л. И. Миркин. − М. : Изд. Физ−матлит., 1961.
18. Pankratz, L. B. High temperature heat contents and entropies of two zinc sulfides and four solid solutions of zinc and iron sulfides / L. B. Pankratz, E. G. King // U. S. Bur. Mines. Rept. Invest. − 1965. − N 6708. − P. 1—8.
19. Kulakov, M. P. Solid state wurtzite—sphalerite transformation and phase boundaries in ZnSe—CdSe / M. P. Kulakov, I. V. Balyakina // J. Cryst. Growth. − 1991. − N 113. − P. 653—658.
20. http://www.webelements.com
21. Dean, J. A. Lange’s Handbook of Chemistry / J. A. Dean. − N. Y. : McGraw−Hill, 2002.
22. Feutelais, Y. A thermodynamic evaluation of the Te−Zn system / Y. Feutelais, A. Haloui, B. Legendre // J. Phase Equilibria. − 1997. − N 18. − P. 48.

Language of full-text russian
Full content Buy
Back