Journals →  Материалы электронной техники →  2013 →  #1 →  Back

ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ
ArticleName Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП–структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно–лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава
ArticleAuthor А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух
ArticleAuthorData

Сибирский физико–технический институт Томского государственного университета

А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

Abstract

Экспериментально исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe, полученного методом молекулярнолучевой эпитаксии, с неоднородным распределением состава. Показано, что для МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21÷0,23) приповерхностные варизонные слои с увеличенным содержанием СdTe на поверхности сильно влияют на зависимости емкости и фотоЭДС от напряжения смещения и частоты. Исследованы характеристики МДП-структур на основе n-Hg0,7Cd0,3Te с периодически расположенными областями резко повышенного содержания CdTe барьерного типа и показано, что эти области оказывают влияние на характеристики МДП-структур при их расположении вблизи границы раздела диэлектрик—полупроводник. Экспериментально изучены электрические свойства МДПструктур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,62÷0,73) с областями пониженного содержания CdTe в приповерхностной области типа потенциальных ям.

Авторы выражают благодарность сотрудникам ИФП СО РАН В. С. Варавину, С. А. Дворецкому, Н. Н. Михайлову, Ю. Г. Сидорову, В В. Васильеву за предоставленные полупроводниковые структуры.
Работа выполнена в рамках реализации ФЦП «Научные и научнопедагогические кадры инновационной России» на 20092013 годы (ГК 02.740.11.0444, 02.740.11.0562), поддержена проектом в рамках АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы (2009—2011 годы)» (рег. № 2.1.2/12459), а также грантом НШ512.2012.2.
Исследования выполнены при поддержке ФЦП Министерства образования и науки Российской Федерации по соглашениям № 14.В37.21.0074, № 14.В37.21.1177 и ГК № 14.514.11.4050 и по Госзаданию, рег. № 2.4218.2011.

keywords МДП структура, теллурид кадмия ртути, состав, варизонный слой, барьерный слой, потенциальная яма, гетероэпитаксиальная структура
References

1. Овсюк, В. Н. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. / В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров и др.  Новосибирск : Наука, 2001. - 376 с.
2. Войцеховский, А. В. Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg1-xCdxTe (x = 0,22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников. - 1997. - № 7. - С. 774—776.
3. Войцеховский, А. В. Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев // Там же. - 2008. - № 11. - С. 1327—1332.
4. Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические характеристики МДПструктур на основе варизонного n-HgCdTe (x = 0,21÷0,23) / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев, Т. И. Захарьяш, Ю. П. Машуков // Изв. вузов. Физика. - 2006. - № 10. - С. 70—80.
5. Goodwin, M. W. Metal-insulator-semiconductor properties of HgTe—CdTe superlattices» / M. W. Goodwin, M. A. Kinch, R. J. Koestner // J. Vacuum Sci. and Technol. - 1988. - V. 6, Iss. 4. P. 2685—2692.
6. Мынбаев, К. Д. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe / К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, А. В. Шиляев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров // Письма в ЖЭТФ.  2010.  Т. 36, № 23.  С. 70—77.
7. Пат. 2373606 РФ, МПК H01L 31/0296. Фоточувствительная структура / Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов; заявитель и патентообладатель ИФП СО РАН.  № 2008138804/28; Заявл. 29.09.2008; Опубл. 20.11.2009.
8. Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников / А. В. Войцеховский, В. Н. Давыдов. - Томск : Радио и связь, 1990.  327 с.

9. Voitsekhovskii, A. Influence of near-surface gradedgap layers on electrical characteristics of MIS-structures based on MBE grown HgCdTe / A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh, V. Varavin, S. Dvoretskii, N. Mikhailov, Y. Sidorov, M. Yakushev // Opto-Electronics Rev. - 2010. - V. 18, N 3. - P. 259—262.

10. Войцеховский, А. В. Влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на вольт-фарадные характеристики МДП-структур HgCdTe/АОП и HgCdTe/SiO2/Si3N4 / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Изв. вузов. Физика. - 2005. - № 6. - С. 31—37.

Language of full-text russian
Full content Buy
Back