Journals →  Материалы электронной техники →  2011 →  #2 →  Back

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ДИЭЛЕКТРИКИ
ArticleName Поведение диэлектрической нелинейности в условиях непрерывного освещения монокристалла SBN–75 + Cr
ArticleAuthor К. П. Гужаковская, А. И. Бурханов, Л. И. Ивлева
ArticleAuthorData К. П. Гужаковская, А. И. Бурханов, Волгоградский государственный архитектурно–строительный университет; Л. И. Ивлева, Институт общей физики РАН им. А. М. Прохорова.
Abstract

Исследована нелинейность диэлектрического отклика монокристалла Sr0,75Ba0,25Nb2O6 (SBN−75) + 0,01 % (ат.) Cr в области размытого фазового перехода. Показано влияние освещения и выдержки (старения) на поведение реверсивных зависимостей диэлектрической проницаемости от смещающего поля ε′(E=). Выявлено, что такие характерные для релаксоров явления, как эффекты памяти, связанные с долговременной релаксацией поляризации, при освещении образца практически полностью исчезают.

keywords Ниобат бария−стронция, реверсивная диэлектрическая проницаемость, фотодиэлектрический отклик, эффект диэлектрической памяти.
References

1. Raevsky, I. P. Bias−field effect on the temperature anomalies of dielectric permittivity in PbMg1/3Nb2/3O3—PbTiO3 single crystals / I. P. Raevsky, S. A. Prosandeev, A. S. Emelyanov, S. I. Raevskaya // Phys. Rev. (b). − 2005. − V. 72. − P. 1884104−1—184104−8.
2. Han, J. Electric field effects on the phase transitions in [001]−oriented (1−x)Pb(Mg1/3Nb2/3)O3−xPbTiO3 single crystals with compositions near the morphotropic phase boundary / J. Han, W. Cao // Ibid. − 2003. − V. 68. − P. 134102—134107.

3. Zhao, X. Effect of a bias field on the dielectric properties of 0.69Pb(Mg1/3Nb2/3)O3—0.31PbTiO3 single crystals with different orientations / X. Zhao, J. Wang, H. I. W. Chan, C. I. Choy, H. Luo // J. Phys.: Condensed Matter. − 2003. − V. 15. − P. 6899—6908.
4. Бурханов, А. И. Медленные процессы релаксации поляризации в неупорядоченных сегнетоэлектриках и родственных материалах: Дисс. … д−ра. физ.−мат. наук / А. И. Бурханов. − Воронеж : ВГТУ, 2004.
5. Cross, L. E. Relaxor ferroelectrics: an overview / L. E. Cross // Ferroelectrics. − 1994. − V. 151. − P. 305—320.
6. Мамин, Р. Ф. Фотостимулированные явления в PbMg1/3Nb2/3O3 / Р. Ф. Мамин, С. А. Мигачев, М. Ф. Садыков, Ю. С. Грезнев, И. В. Лунев, B. В. Изотов, Ю. А. Гусев // Изв. РАН. Сер. физ. − 2004. − Т. 68, № 7. − С. 959—961.
7. Мамин, Р. Ф. К теории фазовых переходов в релаксорах / Р. Ф. Мамин // Физика твердого тела − 2001. − Т. 43, № 7. − С. 1262—1267.
8. Исаков, Д. В. Исследование сегнетоэлектрических свойств кристаллов ниобата бария−стронция методом генерации второй гармоники / Д. В. Исаков, Т. Р. Волк, Л. И. Ивлева // Там же. − 2009. − Т. 51, № 11. − С. 2199—2206.
9. Гладкий, В. В. О диэлектрической проницаемости фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика ниобата бария−стронция / В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Е. С. Иванова, Т. Р. Волк // Там же. − 2006. − Т. 48, № 10. − С. 1817—1819.
10. Гужаковская, К. П. Влияние освещения на низко− и инфранизкочастотный диэлектрический отклик монокристалла SBN−75 / К. П. Гужаковская, А. И. Бурханов, Л. И. Ивлева // Материалы V Междунар. науч.−техн. школы−конф. − М. : МИРЭА, 2008. − С. 117—119.
11. Фрицберг, В. Я. Исследование реверсивной нелинейности в керамике ЦТСЛ / В. Я. Фрицберг, А. П. Гаевскис, А. Э. Капениекс // Фазовые переходы и сопутствующие им явления в сегнетоэлектриках. − Рига, 1977. − С. 127—137.
12. Исупов, В. А. Поляризационно−деформационные состояния сегнетоэлектриков с размытым фазовым переходом / В. А. Исупов // Физика твердого тела. − 1996. − Т. 38, № 5. − С. 1326—1330.
13. Isupov, V. A. New approach to phase transition in relaxor ferroelectrics / V. A. Isupov // Solid State Physics (b). − 1999. − V. 213. − P. 211—218.
14. Гладкий, В. В. Реверсивная диэлектрическая проницаемость фоточувствительного релаксорного сегнетоэлектрика / В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Е. С. Иванова, Т. Р. Волк // Физика твердого тела. − 2006. − Т. 48, № 11. − С. 2026—2029.
15. Гладкий, В. В. Особенности сегнетоэлектрических свойств кристаллов Sr0.75Ba0.25Nb2O6 / В. В. Гладкий, В. А. Кириков, Т. Р. Волк, Д. В. Исаков, Е. С. Иванова // Там же. − 2003. − Т. 45, № 11. − С. 2067—2073.
16. Arlt, G. Aging and fatigue in bulk ferroelectric perovskite ceramics / G. Arlt, U. Robel // Integrated Ferroelectrics. − 1993. − V. 3. − P. 343—349.
17. Robel, U. Dielectric aging and its temperature dependence in ferroelectric ceramic / U. Robel, L. Schneider−Störmann, G. Arlt // Ferroelectrics. − 1995. − V. 168. − P. 301—311.
18. Burkhanov, A. I. Dielectric memory effect in ferroelectric ceramics of PLZT and PMN / A. I. Burkhanov, A. V. Shilnikov, A. R. Sternberg, E. Birks // Ibid. − 1988. − V. 81. − P. 317—321.
19. Burkhanov, A. I. Dielectric memory effects of (Mn, Fe, Co, Cu, Eu) doped PLZT ceramics / A. I. Burkhanov, A. V. Shilnikov, V. Dimza // Ibid. − 1992. − V. 131. − P. 267—273.
20. Шильников, А. В. Долговременные процессы релаксации поляризации и эффекты диэлектрической памяти в прозрачной сегнетокерамике ЦТСЛ−Х/65/35n / А. В. Шильников, А. И. Бурханов, В. Н. Нестеров, А. Штернберг, В. Димза // Изв. РАН. Сер. физ. − 1993. − Т. 57, № 3. − С. 101—107.
21. Сеидов Мир−Гасан, Ю. Влияние внешних воздействий на эффект термической памяти несоизмеримой фазы в сегнетоэлектриках−полупроводниках TlGaSe2 / Ю. Сеидов Мир−Гасан, Р. А. Сулейманов, С. С. Бабаев, Т. Г. Мамедов, Г. М. Шарифов // Физика твердого тела. − 2008. − Т. 50, № 1. − С. 105—113.

Language of full-text russian
Full content Buy
Back