Проведены исследования начальной стадии процесса формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом. Представлены результаты изучения влияния режимов МОС-гидридной эпитаксии на размеры и плотность массива наноразмерных капель индия на подложке GaAs(100). Показана возможность использования процесса испарения индия для управления размерами осажденных капель. Выбран рациональный диапазон температур термообработки (300—400 ^оС), базирующийся на произведенной расчетной оценке скорости испарения индия и температурной зависимости краевого угла смачивания подложки. На основе расчета гетерогенных равновесий в системе In—Ga—As показано, что в указанном температурном диапазоне изменение состава осажденных капель в результате возможного подрастворения подложки крайне незначительно.

Работа выполнена при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований (грант № 11-02-00336-а).

1. Koguchi, N. New MBE growth method for InSb quantum well boxes / N. Koguchi, S. Takahashi, T. Chikyow // J. Cryst. Growth. − 1991. − V. 111. − P. 688—692.
2. Kim, J. S. Near room temperature droplet epitaxy for fabrication of InAs quantum dots / J. S. Kim, N. Koguchi // Appl. Phys. Lett. − 2004. − V. 85, N 24. − P. 5893—5895.
3. Wang, Z. M. Self−organization of InAs quantum−dot clusters directed by droplet homoepitaxy / Z. M. Wang, B. Liang, K. A. Sablon, J. Lee, Y. I. Mazur, N. W. Strom, G. J. Salamo // Small. − 2007. − V. 3, N 2. − P. 235—238.
4. Alonso-González, P. Formation and optical characterization of single InAs quantum dots grown on GaAs nanoholes / P. Alonso−González, B. Alen, D. Faster Y. González, L. González, J. Martínez−Pastor // Appl. Phys. Lett. − 2007. − V. 91. − P. 163104−6.
5. Sablon, K. A. Configuration control of quantum dot molecules by droplet epitaxy / K. A. Sablon, H. J. Lee, Z. M. Wang, J. H. Shultz, G. J. Salamo // Appl. Phys. Lett. − 2008. − V. 92. − P. 203106−8.
6. Zhao, C. Study of the wetting layer of InAs/GaAs nanorings grown by droplet epitaxy / C. Zhao, Y. H. Chen, B. Hu, C. G. Tang, Z. G. Wang, F. Ding // Appl. Phys. Lett. − 2008. − V. 92. − P. 063122−4.
7. Tong, C. Z. Investigation of the fabrication mechanism of self−assembled GaAs quantum rings grown by droplet epitaxy / C. Z. Tong, S. F. Yoon // Nanotechnology. − 2008. − V. 19. − P. 365604−7.
8. Lee, J. H. Various quantum− and nano−structures by III—V droplet epitaxy on GaAs substrates / J. H. Lee, Z. M. Wang, E. S. Kim, N. Y.Kim, S. H. Park, G. J. Salamo // Nanoscale Res. Lett. − 2010. − V. 5. − P. 308—314.
9. Stringfellow, G. B. // Organometallic vapor phase epitaxy: Theory and practice / G. B. Stringfellow. − London : Acad. Press, 1999. − P. 228.
10. Акчурин, Р. Х. Исследование возможности формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС−гидридной эпитаксии / Р. Х. Акчурин, И. А. Богинская, Н. Т. Вагапова, А. А. Мармалюк, А. А. Панин // Письма в ЖТФ. − 2010. − T. 36, вып. 1. − C. 10—16.
11. Акчурин, Р. Х. Физико−химические аспекты формирования квантовых точек в системе InAs/GaAs капельным методом в условиях МОС−гидридной эпитаксии / Р. Х. Акчурин, И. А. Богинская, Н. Т. Вагапова, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин // Письма в ЖТФ. − 2010. − T. 36, вып. 15. − C. 82—88.

12. Акчурин, Р. Х. Капельный метод формирования массивов квантовых точек в системе InAs/GaAs в условиях МОС−гидридной эпитаксии / Р. Х. Акчурин, И. А. Богинская, Н. Т. Вагапова, А. А. Мармалюк, М. А. Ладугин, М. А. Сурнина // Тез. докл. XIV Национальной конф. по росту кристаллов «НКРК−2010». − М. : ИК РАН, 2010. − Т. 2. − С. 95.
13. Несмеянов, Ан. Н. Давление пара химических элементов / Ан. Н. Несмеянов. − М. : Изд−во АН СССР, 1961. − 367 c.
14. Moyle, M. Laboratory studies of water droplet evaporation / M. Moyle, P. M. Smidansky, D. Lamb // 12th Conf. on Cloud Physics. − Madison (WI), 2006. − P. 2—37.

15. Крапухин, В. В. Технология материалов электронной техники / В. В. Крапухин, И. А. Соколов, Г. Д. Кузнецов. − М. : МИСИС, 1995. − 440 c.
16. Barash, L. Yu. Evaporation and fluid dynamics of a sessile drop of capillary size / L. Yu. Barash, T. P. Bigioni, V. M. Vinokur, L. N. Shchur // Phys. Rev. E. − 2009. − V. 79. − Р. 046301−16.
17. Сумм, Б. Д. Физико−химические основы смачивания и растекания / Б. Д. Сумм, Ю. В. Горюнов. − М. : Химия, 1976. − 232 с.