ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЯ | |
Название | Исследование дефектов в многослойных эпитаксиальных силовых приборах на основе кремния методами рентгеновской топографии |
Автор | И. Л. Шульпина, В. А. Козлов |
Информация об авторе | Физико−технический институт РАН им. А. Ф. Иоффе И. Л. Шульпина
НПО «ФИД−Техника», ООО «Силовые полупроводники» В. А. Козлов |
Реферат | Методами рентгеновской дифракционной топографии исследованы дефекты в многослойных эпитаксиальных структурах на основе кремния, предназначенных для использования в качестве исходного материала для изготовления силовых эпитаксиально−диффузионных полупроводниковых приборов. Показано, что основными дефектами в исходных эпитаксиальных слоях являются сетки дислокаций с неравномерным распределением дислокаций как по толщине, так и по площади слоев в виде плотных рядов (дислокационных стенок) или полос скольжения, оказывающих влияние на электрические характеристики силовых приборов. Статья написана по материалам докладов, представленных на Международных конференциях XTOP−2012 и «Кремний−2012» (г. Санкт−Петербург). |
Ключевые слова | Рентгеновская топография, кремний, дефекты, многослойные эпитаксиальные слои, силовые приборы, электрические характеристики |
Библиографический список | 1. Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. − СПб. : Наука, 2002. − 274 с. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |