ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ | |
Название | Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП–структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe, полученного методом молекулярно–лучевой эпитаксии, c неоднородным распределением состава |
Автор | А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух |
Информация об авторе | Сибирский физико–технический институт Томского государственного университета А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух |
Реферат | Экспериментально исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe, полученного методом молекулярнолучевой эпитаксии, с неоднородным распределением состава. Показано, что для МДП-структур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,21÷0,23) приповерхностные варизонные слои с увеличенным содержанием СdTe на поверхности сильно влияют на зависимости емкости и фотоЭДС от напряжения смещения и частоты. Исследованы характеристики МДП-структур на основе n-Hg0,7Cd0,3Te с периодически расположенными областями резко повышенного содержания CdTe барьерного типа и показано, что эти области оказывают влияние на характеристики МДП-структур при их расположении вблизи границы раздела диэлектрик—полупроводник. Экспериментально изучены электрические свойства МДПструктур на основе n-Hg1-xCdxTe (x = 0,62÷0,73) с областями пониженного содержания CdTe в приповерхностной области типа потенциальных ям. Авторы выражают благодарность сотрудникам ИФП СО РАН В. С. Варавину, С. А. Дворецкому, Н. Н. Михайлову, Ю. Г. Сидорову, В В. Васильеву за предоставленные полупроводниковые структуры. |
Ключевые слова | МДП структура, теллурид кадмия ртути, состав, варизонный слой, барьерный слой, потенциальная яма, гетероэпитаксиальная структура |
Библиографический список | 1. Овсюк, В. Н. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. / В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров и др. Новосибирск : Наука, 2001. - 376 с. 9. Voitsekhovskii, A. Influence of near-surface gradedgap layers on electrical characteristics of MIS-structures based on MBE grown HgCdTe / A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh, V. Varavin, S. Dvoretskii, N. Mikhailov, Y. Sidorov, M. Yakushev // Opto-Electronics Rev. - 2010. - V. 18, N 3. - P. 259—262. 10. Войцеховский, А. В. Влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на вольт-фарадные характеристики МДП-структур HgCdTe/АОП и HgCdTe/SiO2/Si3N4 / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Изв. вузов. Физика. - 2005. - № 6. - С. 31—37. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |