ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ | |
Название | Влияние условий роста на структурное совершенство слоев AlN, полученных методом МОС–гидридной эпитаксии |
Автор | А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин |
Информация об авторе | ООО «Сигм Плюс» А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица
ООО «Сигм Плюс», А. А. Мармалюк
МИТХТ им. М. В. Ломоносова Р. Х. Акчурин |
Реферат | Рассмотрено влияние буферных слоев, формируемых при различных температурах и отношениях элементов V и III групп (V/III), на кристаллическое совершенство эпитаксиальных слоев AlN, выращенных методом МОС−гидридной эпитаксии на подложках α−Al2O3. Показано, что наиболее эффективным способом повышения структурного совершенства эпитаксиальных слоев является использование высокотемпературного буферного слоя при низком отношении V/III. Дальнейшее улучшение качества слоев AlN возможно благодаря снижению паразитных реакций между аммиаком и триметилалюминием в газовой фазе путем оптимизации потока газа через реактор. Установленные значения ростовых параметров, позволили получить слои AlN высокого кристаллического совершенства (полуширина рентгеновских кривых качания для отражений (0002), (0004) и (1013) составила 50, 97 и 202 угл. с соответственно) с хорошей среднеквадратической шероховатостью поверхности 0,7 нм, пригодные для создания приборов на их основе. Авторы благодарят К. Д. Щербачева (НИТУ «МИСиС) за проведение измерений образцов на трехкристальном рентгеновском дифрактометре и В. В. Азарову за помощь в проведении измерений на интерферометре белого света. |
Ключевые слова | Нитрид алюминия, МОС−гидридная эпитаксия, отношение V/III, буферный слой, сапфир |
Библиографический список | 1. Amano, H. Metalorganic vapor phase epitaxial growth of a high quality GaN film using an AlN buffer layer / H. Amano, N. Sawaki, I. Akasaki, T. Toyoda // Appl. Phys. Lett. − 1986. − V. 48. − P. 353—355. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |