МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ | |
Название | Формирование и структура мезопористого кремния |
Автор | Н. И. Каргин, А. О. Султанов, А. В. Бондаренко, В. П. Бондаренко, С. В. Редько, А. С. Ионов |
Информация об авторе | Национальный исследовательский ядерный университет «МИФИ»: Н. И. Каргин А. О. Султанов
А. В. Бондаренко С. В. Редько
ОАО «ОКБ–Планета»: А. С. Ионов |
Реферат | Представлены результаты исследований кинетики формирования и структуры слоев мезопористого кремния, полученных методом электрохимического анодирования в электролите на основе 12%−ного водного раствора фтористо−водородной кислоты. Электролит состоял только из деионизованной воды и фтористо−водородной кислоты и не содержал никаких органических добавок для того, чтобы исключить загрязнение пористого кремния углеродом в процессе анодирования. Все эксперименты выполнены на целых пластинах кремния диаметром 100 мм, а не на образцах небольшого размера, которые часто используют для экономии кремния. В качестве исходных подложек использованы пластины монокристаллического кремния марки КЭС−0,01, вырезанные из слитков, полученных методом Чохральского. Определены зависимости толщины слоев пористого кремния, его скорости роста и объемной пористости от плотности анодного тока и времени анодирования. Методом сканирующей электронной микроскопии изучены структура слоев пористого кремния и определены размеры и плотность каналов пор. Найдены режимы получения однородных слоев пористого кремния для их последующего использования в качестве буферных слоев при эпитаксии. Авторы выражают благодарность В. В. Цыбульскому (Государственный центр «Белмикроанализ» филиала «Белмикросистемы» ОАО «ИНТЕГРАЛ») за проведение структурных исследований образцов пористого кремния. |
Ключевые слова | Пористый кремний, буферный слой, электрохимическое анодирование, плотность тока, пористость |
Библиографический список | 1. Labunov, V. A. Poristyi kremnii v poluprovodnikovoi elektronike / V. A. Labunov, V. P. Bondarenko, V. E. Borisenko // Zarubezhnaya elektronnaya tehnika. − 1978. − N 15. − P. 3—47. 12. Belyakov, L. V. Issledovanie IK fotodiodov na osnove PbTe, poluchennyh na bufernom podsloe poristogo kremniya / L. V. Belyakov, I. B. Zaharova, T. I. Zubkova, S. F. Musihin, S. A. Rykov // FTP. − 1997. − V 31.− P. 93—95. 14. Ishikawa, H. MOCVD growth of GaN on porous silicon substrates / H. Ishikawa, K. Shimanaka, F. Tokura, Y. Hayashi, Y. Hara, M. Nakanishi // J. Cryst. Growth. − 2008. − V. 310. − P. 4900—4903. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |