МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ | |
Название | Исследование структуры крупногабаритных монокристаллов антимонида галлия, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100] |
Автор | В. С. Ежлов, А. Г. Мильвидская, Е. В. Молодцова, М. В. Меженный |
Информация об авторе | ОАО «Гиредмет»: В. С. Ежлов А. Г. Мильвидская Е. В. Молодцова
М. В. Меженный |
Реферат | Проведено исследование свойств нелегированных монокристаллов антимонида галлия диаметром более 60 мм, выращенных методом Чохральского в кристаллографическом направлении [100]. Установлено, что снижение плотности дислокаций в крупногабаритных нелегированных монокристаллах антимонида галлия может быть достигнуто как с использованием известных технологических приемов в процессе выращивания, так и с помощью легирования изовалентной примесью (индием). Показано, что введение в технологический процесс выдержки при температуре, близкой к температуре кристаллизации, на стадии выхода кристалла на диаметр в течение 1 ч и термообработки в посткристаллизационном состоянии при температуре 650 оС в течение 3 ч позволяет достичь в нелегированных монокристаллах антимонида галлия диаметром ~60 мм значения плотности дислокаций (3—5) ⋅ 103 см−2. Установлено, что образование дислокаций в крупногабаритных монокристаллах антимонида галлия обусловлено двумя температурными диапазонами, о чем свидетельствует различная морфология следов дислокаций. Определены значения критических напряжений образования дислокаций в интервале температур 420—690 оС. Показано, что легирование изовалентной примесью (In до концентраций (2—4) ⋅ 1018 ат/см3) приводит к существенному увеличению критических напряжений образования дислокаций и, следовательно, снижению их средней плотности до (4—5) ⋅ 102 см−2, что открывает перспективу получения крупногабаритных малодислокационных монокристаллов антимонида галлия. Работа выполнена при финансовой поддержке Министерства образования и науки Российской Федерации в рамках Госконтракта № 14.513.11.0022. |
Ключевые слова | Антимонид галлия, монокристалл, метод Чохральского, дефекты, плотность дислокаций, легирование |
Библиографический список | 1. Hvostikov, V. P. Termofotoelektricheskie preobrazovateli teplovogo i koncentrirovannogo solnechnogo izlucheniya / V. P. Hvostikov, O. A. Hvostikova, P. Yu. Gazaryan, M. Z. Shvarc, V. D. Rumyancev, V. M. Andreev // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2004. − V. 38, Iss. 8. − P. 988—993. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |