ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ | |
Название | Зависимость деформационного состояния пленок GaAs на вицинальных подложках Si(001) от способа формирования первых монослоев прослойки GaP. |
Автор | И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, А. С. Ильин, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский |
Информация об авторе | Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН: И. Д. Лошкарев А. П. Василенко Е. М. Труханов А. В. Колесников А. С. Ильин М. А. Путято Б. Р. Семягин В. В. Преображенский |
Реферат | Выявлена существенная зависимость деформационного состояния кристаллической решетки пленок GaAs, выращенных методом молекулярно−лучевой эпитаксии от способа зарождения первых слоев прослойки GaP (50 нм) на вицинальной подложке Si(001) 4° вокруг оси <011>. Рост GaP начинался послойно с галлиевого или фосфорного подслоя. Установлено, что в случае зарождения GaP с галлия, пленка GaAs имеет значительный поворот кристаллической решетки вокруг направления <011>. При формировании прослойки с фосфорного подслоя заметен поворот пленки GaAs вокруг <001>. Степень релаксации пленки составляет более 100 %, она находится в латерально растянутом состоянии. Анализ проведен с использованием модели триклинных искажений. Представлена карта рассеяния в обратном пространстве, полученная с помощью рентгеновской дифрактометрии в трехосевой схеме малого разрешения. На карте явно виден факт поворота кристаллической решетки пленки GaAs. |
Ключевые слова | Релаксация, гетеросистемы, вицинальные границы раздела |
Библиографический список | 1. Bolhovityanov, Yu. B. Epitaksiya GaAs na kremnievyh podlozhkah: sovremennoe sostoyanie issledovanii i razrabotok / Yu. B. Bolhovityanov, O. P. Pchelyakov // UFN. − 2008. − T. 178, N 5. − P. 459—480 |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |