Журналы →  Материалы электронной техники →  2013 →  №4 →  Назад

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
Название Интегрально–дифференциальный метод термоспектроскопии энергетических уровней в полупроводниках по релаксации их заряда
Автор Ф. И. Маняхин
Информация об авторе

Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»:

Ф. И. Маняхин

Реферат

Предложен принципиально новый метод измерения параметров энергетических уровней в запрещенной зоне полупроводников от 0,07 до 0,4 эВ, основанный на интегрировании релаксирующего заряда этих уровней и дифференцировании интеграла заряда модулированием ширины временного окна импульса напряжения смещения малой амплитуды. Представлен математический аппарат предложенного метода, позволяющий моделировать температурный спектр энергетических уровней. Показано, что определение энергетического положения глубокого уровня возможно при одном проходе температурного сканирования, что снижает трудоемкость эксперимента. Проведено экспериментальное исследование энергетических уровней в светодиодной структуре зеленого свечения на основе AlGaN/InGaN/GaN. Выявлены уровни ΔEt = 0,14 ± 0,01 и ΔEt = 0,2 ± 0,015 эВ предположительно принадлежащие VGa и Mg соответственно.

Ключевые слова Глубокие уровни запрещенной зоны полупроводника, метод исследования глубоких уровней, математическая модель метода, температурное сканирование, температурный спектр уровней
Библиографический список

1. Lang, D. V. Deep−level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors / D. V. Lang // J. Appl. Phys. − 1974. − V. 45, N 7. − P. 3023—3032.
2. Sah, C. T. Thermally stimulated capacitance (TSCAP) in p—n−junctions / C. T. Sah, W. W. Chan, H. S. Fu, J. W. Walker // Appl. Phys. Lett. − 1972. − V. 20, N 5. − P. 193—195.
3. Sah, S. T. Thermally simulated capacitance for shallow majority−carrier traps in the edge region of semiconductor junctions / S. T. Sah, J. W. Walker // Ibid. − 1973. − V. 22, N 8. − P. 384—385.
4. Berman, L. S. Emkostnaya spektroskopiya glubokih centrov v poluprovodnikah / L. S. Berman, A. A. Lebedev. − L. : Nauka, 1981. − 76 p.
5. Bougrov, V. Properties of advanced semiconductor materials GaN, AlN, InN, BN, SiC, SiGe / V. Bougrov, M. E. Levinshtein, S. L. Rumyantsev, A. Zubrilov. − N. Y. : Wiley, 2001. − P. 1—50.
6. Strite, S. GaN, AlN and InN: A Review / S. Strite, H. Morcos // J. Vac. Sci. Tecnol. B. − 1992. − V. 10, N 4. − P. 1237—1266.
7. Manyahin, F. I. Vliyanie rezhimov ekspluatacii svetodiodov na process defektoobrazovaniya v oblasti p−n perehoda i snizhenie kvantovogo vyhoda / F. I. Manyahin // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2010. − N 3. − P. 47—51.

Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад