Журналы →  Материалы электронной техники →  2013 →  №4 →  Назад

ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ
Название Способ раздельного определения сопротивлений образца высокоомного полупроводника и контактов к образцу
Автор В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский
Информация об авторе

Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»:

В. А. Голубятников

Ф. И. Григорьев

А. П. Лысенко

Н. И. Строганкова

М. Б. Шадов

 

Открытое акционерное общество «Государственный научно–исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»:

А. Г. Белов

В. Е. Каневский

Реферат

Предложен метод раздельного определения сопротивлений образца−двухполюсника и контактов к нему, который применим к образцам высокоомных полупроводниковых материалов: полуизолирующего арсенида галлия, детекторного теллурида кадмия−цинка (КЦТ) и др. Метод основан на засветке приконтакных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину запрещенной зоны исследуемого материала. Экстраполяция прямолинейного участка зависимости фототока через образец от тока через светодиоды к оси ординат позволяет найти ток отсечки, после чего по известным значениям тока отсечки и напряжения смещения вычисляют значение сопротивления объема образца. Далее, зная темновое значение тока через образец, можно вычислить суммарное сопротивление контактов образца−двухполюсника. Метод опробован на образце полуизолирующего арсенида галлия n−типа электропроводности. Линейность контактов проверена по вольт−амперным характеристикам. Показано, что сопротивление контактов близко к сопротивлению объема образца, что подтверждает необходимость учета влияния контактов при анализе данных электрофизических измерений.

Ключевые слова Раздельное определение, сопротивление объема образца, сопротивление контактов, высокоомный полупроводник, образец−двухполюсник, засветка приконтактных областей
Библиографический список

1. Jaeger, H. Transition resistances of ohmic contacts to p−type CdTe and their time−dependent variation / H. Jaeger, E. Seipp // J. Electron. Mater. − 1981. − V. 10, N 3. − P. 605—618.
2. Brinkman, A. W. Contacts to Cd/Zn/Te/Se compounds / A. W. Brinkman // Properties of Narrow Gap Cadmium−Based Compounds. − London (UK) : INSPEC, 1994. − P. 575—581.
3. Brun, D. Low resistance ohmic contact on n−CdTe / D. Brun, B. Daudin, E. Ligeon // Appl. Phys. Lett. − 1994. − V. 65, N 4. − P. 475—477.
4. Klevkov, Yu. V. Vliyanie passivacii poverhnosti p−CdTe v (NH4)2Sx na vol’t−ampernye harakteristiki kontaktov / Yu. V. Klevkov, S. A. Kolosov, A. F. Plotnikov // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2006. − T. 40, Iss. 9. − P. 1074—1078.
5. Blank, T. V. Mehanizm protekaniya toka v omicheskih kontaktah metall—poluprovodnik / T. V. Blank, Yu. A. Gol’dberg // Ibid. − 2007. − T. 41, Iss. 11. − P. 1281—1308.
6. Kovalev, A. N. Sovremennye metody usovershenstvovaniya polevyh AlGaN/GaN−geterotranzistorov / A. N. Kovalev // Izv. vuzov. Materialy elektron. tehniki. − 2007. − N 2. − P. 4—17.
7. Vikulin, I. M. Fizika poluprovodnikovyh priborov / I. M. Vikulin, V. I. Stafeev. − M. : Sovetskoe radio, 1980. − P. 22.
8. Stafeev, V. I. Termoelektricheskie i drugie yavleniya v strukturah s neravnovestnymi nositelyami zaryada i nanochasticami / V. I. Stafeev // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2009. T. 43, Iss. 5. − P. 636—639.
9. Ruzin, A. Simulation of Schottky and ohmic contacts on CdTe / A. Ruzin // J. Appl. Phys. − 2011. − V. 109, Iss. 1. − P. 014509.
10. Mahnii, V. P. Poluizoliruyushie sloi tellurida kadmiya / V. P. Mahnii // Zhurnal tehn. fiziki. − 2005. T. 75, Iss. 11. − P. 122—123.
11. Kosyachenko, L. A. Osobennosti mehanizma elektroprovodnosti poluizoliruyushih monokristallov CdTe / L. A. Kosyachenko, O. L. Maslyanchuk, S. V. Mel’nichuk, V. M. Sklyarchuk, O. V. Skl-yarchuk, T. Aoki // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2010. − T. 44, Iss. 6. − P. 729—734.
12. Belyaev, A. P. Vliyanie metoda sinteza na svoistva plenok tellurida kadmiya, sintezirovannyh v rezko neravnovesnyh usloviyah / A. P. Belyaev, V. P. Rubec, V. V. Antipov, E. O. Eremina // Ibid. − 2010. T. 44, Iss. 7. − P. 978—980.
13. Kosyachenko, L. A. Self−compensation limited conductivity in semi−insulating indium−doped Cd0.9Zn0.1Te crystals / L. A. Kosyachenko, S. V. Melnychuk, O. L. Maslyanchuk, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, M. Fiederle, C. P. Lambropoulos // J. Appl. Phys. − 2012. − V. 112. − P. 013705.

14. Kolosov, S. A. Povedenie Bi v reshetke CdTe i effekt kompensacii v CdTe : Bi / S. A. Kolosov, V. S. Krivobok, Yu. V. Klevkov, A. F. Adiyatullin // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2013. − T. 47, Iss. 4. − P. 538—545.
15. Golubyatnikov, V. A. Fotoemissiya svobodnyh nositelei zaryada v vysokoomnyi poluprovodnik pri osveshenii omicheskih kontaktov / V. A. Golubyatnikov, A. G. Belov, F. I. Grigor’ev, A. P. Lysenko, N. I. Strogankova, M. B. Shadov // Materialy XX yubileinoi nauchno−tehn. konf. «Vakuumnaya nauka i tehnika». − M., 2013. − P. 220—222; 358.

Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад