ФИЗИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ | |
Название | Способ раздельного определения сопротивлений образца высокоомного полупроводника и контактов к образцу |
Автор | В. А. Голубятников, Ф. И. Григорьев, А. П. Лысенко, Н. И. Строганкова, М. Б. Шадов, А. Г. Белов, В. Е. Каневский |
Информация об авторе | Национальный исследовательский университет «Высшая школа экономики»: В. А. Голубятников Ф. И. Григорьев А. П. Лысенко Н. И. Строганкова М. Б. Шадов
Открытое акционерное общество «Государственный научно–исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности «ГИРЕДМЕТ»: А. Г. Белов В. Е. Каневский |
Реферат | Предложен метод раздельного определения сопротивлений образца−двухполюсника и контактов к нему, который применим к образцам высокоомных полупроводниковых материалов: полуизолирующего арсенида галлия, детекторного теллурида кадмия−цинка (КЦТ) и др. Метод основан на засветке приконтакных областей образца монохроматическим излучением регулируемой интенсивности от светодиодов с энергией кванта, превышающей ширину запрещенной зоны исследуемого материала. Экстраполяция прямолинейного участка зависимости фототока через образец от тока через светодиоды к оси ординат позволяет найти ток отсечки, после чего по известным значениям тока отсечки и напряжения смещения вычисляют значение сопротивления объема образца. Далее, зная темновое значение тока через образец, можно вычислить суммарное сопротивление контактов образца−двухполюсника. Метод опробован на образце полуизолирующего арсенида галлия n−типа электропроводности. Линейность контактов проверена по вольт−амперным характеристикам. Показано, что сопротивление контактов близко к сопротивлению объема образца, что подтверждает необходимость учета влияния контактов при анализе данных электрофизических измерений. |
Ключевые слова | Раздельное определение, сопротивление объема образца, сопротивление контактов, высокоомный полупроводник, образец−двухполюсник, засветка приконтактных областей |
Библиографический список | 1. Jaeger, H. Transition resistances of ohmic contacts to p−type CdTe and their time−dependent variation / H. Jaeger, E. Seipp // J. Electron. Mater. − 1981. − V. 10, N 3. − P. 605—618. 14. Kolosov, S. A. Povedenie Bi v reshetke CdTe i effekt kompensacii v CdTe : Bi / S. A. Kolosov, V. S. Krivobok, Yu. V. Klevkov, A. F. Adiyatullin // Fizika i tehnika poluprovodnikov. − 2013. − T. 47, Iss. 4. − P. 538—545. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |