Материаловедение | |
Название | Влияние обработки в водородной плазме тлеющего разряда на структурные свойства тонких пленок SnOx и SiC1.4 |
Автор | Бейсенханов Н. Б. |
Информация об авторе | Н. Б. Бейсенханов, вед. науч. сотр., e-mail: beisen@sci.kz, (ТОО «Физикотехнический институт», Алматы). |
Реферат | В работе исследовалось влияние обработки в водородной плазме тлеющего разряда на структурные свойства тонких пленок SiC1,4 и SnOx. Слой SiC1,4 получен многократной имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 кэВ в кремниевую подложку. Обнаружено, что обработка в водородной плазме приводит к полному распаду кристаллитов кремния в переходном слое пленка—подложка (SiC–Si) и ухудшению структурного совершенства кристаллитов карбида кремния в слое SiC1,4. Пленки SnOx толщиной ~350 нм получены методом магнетронного осаждения в атмосфере Ar–O2 на стеклянной подложке. Показано, что фазовый состав и структура пленок SnOx существенно зависят от давления смеси Ar–O2 в камере в пределах 1,0–2,7 Па. Показано различное влияние водородной и кислородной плазмы на процессы сегрегации и распада поликристаллических фаз в пленках SnOx. Очевидно, что воздействие водородной плазмы распространяется на всю глубину пленок (~200–300 нм), вызывая распад кристаллитов кремния или оксида олова. Проникновение большого количества ионов водорода плазмы через твердую пленку предполагает насыщение материала пленок атомами водорода. |
Ключевые слова | Тонкие пленки, водородная плазма тлеющего разряда, карбид кремния, ионная имплантация, оксиды олова SnOx, магнетронное распыление. |
Библиографический список | 1. Суздалев И. П. Нанотехнология : физикохимия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. — М. : КомКнига, 2006. — 592 с. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |