Журналы →  Цветные металлы →  2010 →  №4 →  Назад

Материаловедение
Название Влияние обработки в водородной плазме тлеющего разряда на структурные свойства тонких пленок SnOx и SiC1.4
Автор Бейсенханов Н. Б.
Информация об авторе Н. Б. Бейсенханов, вед. науч. сотр., e-mail: beisen@sci.kz, (ТОО «Физикотехнический институт», Алматы).
Реферат

В работе исследовалось влияние обработки в водородной плазме тлеющего разряда на структурные свойства тонких пленок SiC1,4 и SnOx. Слой SiC1,4 получен многократной имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 кэВ в кремниевую подложку. Обнаружено, что обработка в водородной плазме приводит к полному распаду кристаллитов кремния в переходном слое пленка—подложка (SiC–Si) и ухудшению структурного совершенства кристаллитов карбида кремния в слое SiC1,4. Пленки SnOx толщиной ~350 нм получены методом магнетронного осаждения в атмосфере Ar–O2 на стеклянной подложке. Показано, что фазовый состав и структура пленок SnOx существенно зависят от давления смеси Ar–O2 в камере в пределах 1,0–2,7 Па. Показано различное влияние водородной и кислородной плазмы на процессы сегрегации и распада поликристаллических фаз в пленках SnOx. Очевидно, что воздействие водородной плазмы распространяется на всю глубину пленок (~200–300 нм), вызывая распад кристаллитов кремния или оксида олова. Проникновение большого количества ионов водорода плазмы через твердую пленку предполагает насыщение материала пленок атомами водорода.

Ключевые слова Тонкие пленки, водородная плазма тлеющего разряда, карбид кремния, ионная имплантация, оксиды олова SnOx, магнетронное распыление.
Библиографический список

1. Суздалев И. П. Нанотехнология : физикохимия нанокластеров, наноструктур и наноматериалов. — М. : КомКнига, 2006. — 592 с.
2. Yаn Н., Wang В., Song Х. М. et al. // Diamond and related materials. 2000. N 9. P. 1795.
3. Sari A. H., Ghorbani S., Dorranian D. et al. // Appl. Surface Sci. 2008. Vol. 255 (5). Pt 1. P. 2180–2184.
4. Nussupov K. Kh., Beisenkhanov N. B., Tokbakov J. // Nucl. Instrum. and Meth. B. 1995. Vol. 103. Р. 161–174.
5. Borders J. A., Picraux S. T., Beezhold W. // Appl. Phys. Lett. 1971. Vol. 18 (11). Р. 509–511.
6. Баранова Е. K., Демаков K. Д., Старинин K. В. и др. // Доклады АН СССР. 1971. Т. 200. C. 869–870.
7. Nussupov K. Kh., Beisenkhanov N. В., Valitova I. V. et al. // Physics of the Solid State. 2006. Vol. 48 (7). P. 1255–1267.
8. Nussupov K. Kh., Beisenkhanov N. B., Valitova I. V. et al. // J. Mater. Sci.: Mater. in Electronics. Vol. 19, suppl. 1, N 12. P. 254–262.
9. Герасименко Н. Н., Кузнецов О. Н., Лежейко Л. В. и др. // Микроэлектроника. 1974. Т. 3, вып. 5. С. 467–468.
10. Рембеза С. И., Свистова Т. В., Рембеза Е. С., Борсякова О. И. // Физика и техника полупроводников. 2001. 35 (7). C. 796–800.
11. Karapatnitski I. A., Mit’ K. A., Mukhamedshina D. M., Beisenkhanov N. B. // Surface and Coat. Technol. 2002. Vol. 151–152. P. 76–81.
12. Jiang J. C., Lian K., Meletis E. I. // Thin Solid Films. 2002. Vol. 411. P. 203–210.
13. Mukashev B. N., Tokmoldin S. Zh., Beisenkhanov N. B. et al. // Mater. Sci. Eng. B. 2005. Vol. 118. N 1–3. P. 164–169.

Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад