Представлена математическая модель siemens-реактора производства поликристаллического кремния в процессе водородного восстановления трихлорсилана как объекта управления, описывающая динамические связи между основными технологическими переменными с учетом радиального профиля температуры в кремниевом стержне. Сравнение результатов компьютерного моделирования и экспериментов с проверкой адекватности по критерию Фишера показало, что эта модель описывает процесс в промышленном siemens-реакторе с погрешностью менее 10 % при изменениях входных переменных и параметров процесса в пределах регламентных норм и может быть использована для синтеза и компьютерного моделирования систем автоматизированного управления.

1. Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О., Червоный И. Ф. и др. Технология полупроводникового кремния. — М. : Металлургия, 1992. — 408 с.
2. Елютин А. В., Иванов Л. С., Иванов Р. В. и др. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2006. № 3. С. 25–28.
3. Бровин Д. С., Ловцюс А. А., Колгатин С. Н. // Там же. 2007. № 4. С. 6–10.
4. Del Coso G., Tobias I., Canizo C., Luque A. // J. Crystal Growth. 2007. Vol. 299. P. 165–170.
5. Погорелов В. Н., Синельников В. П., Стопкевич В. В. и др. Оптимизация процесса получения поликристаллического кремния методом водородного восстановления трихлорсилана в замкнутом технологическом контуре // Изв. вузов. Цветная металлургия. 1999. № 3.
6. Стопкевич В. В., Погорелов В. Н. // Цветные металлы. 2007. № 12. С. 99–102.
7. Pat. 5976481 US, C 01 B 33/035. Polycrystal silicon rod and production process therefor / Junichi K., Hiroyuki O.; appl. 20.01.98 ; publ. 02.11.99.
8. Эмануэль Н. М., Кноре Д. Г. Курс химической кинетики. — Москва : Высшая школа, 1962.
9. Pat. 6749824 US, C 23 C 16/44. Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production / Keck D. W., Russell R. O. ; appl. 13.02.2003 ; publ. 10.07.2003.