Журналы →
Tsvetnye Metally →
2009 →
№7 →
Назад
Назад
| Название | Mathematical model of the siemens-reactor as the object of management |
| Автор | Goryunov A. G., Kozin K. A., Liventsov S. N.,Gavrilov P. M., Revenko Yu. A. |
| Информация об авторе | Goryunov A. G., e-mail: alex79@phtd.tpu.ru. |
| Реферат | The mathematical model of the Siemens-reactor for production of polycrystalline silicon in the process of hydrogen reduction of trichlorosilane, as object of the management, is given. The model describes dynamic links between the main technological variables taking into account radial temperature profile in a silicon core is presented. Comparison of results of computer simulation and experiments of model verification by Fisher's ratio test has shown that this model describes process in the industrial Siemens-reactor with an error less than 10 % at changes of input variables and parameters of process within regulation norms. This model can be used for synthesis and computer simulation of systems of automatic management. |
| Ключевые слова | Siemens-reactor, polycrystalline silicon, hydrogen reduction, trichlorosilane, band approach, mathematical simulation. |
| Библиографический список | 1. Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О., Червоный И. Ф. и др. Технология полупроводникового кремния. — М. : Металлургия, 1992. — 408 с. 2. Елютин А. В., Иванов Л. С., Иванов Р. В. и др. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2006. № 3. С. 25–28. 3. Бровин Д. С., Ловцюс А. А., Колгатин С. Н. // Там же. 2007. № 4. С. 6–10. 4. Del Coso G., Tobias I., Canizo C., Luque A. // J. Crystal Growth. 2007. Vol. 299. P. 165–170. 5. Погорелов В. Н., Синельников В. П., Стопкевич В. В. и др. Оптимизация процесса получения поликристаллического кремния методом водородного восстановления трихлорсилана в замкнутом технологическом контуре // Изв. вузов. Цветная металлургия. 1999. № 3. 6. Стопкевич В. В., Погорелов В. Н. // Цветные металлы. 2007. № 12. С. 99–102. 7. Pat. 5976481 US, C 01 B 33/035. Polycrystal silicon rod and production process therefor / Junichi K., Hiroyuki O.; appl. 20.01.98 ; publ. 02.11.99. 8. Эмануэль Н. М., Кноре Д. Г. Курс химической кинетики. — Москва : Высшая школа, 1962. 9. Pat. 6749824 US, C 23 C 16/44. Chemical vapor deposition system for polycrystalline silicon rod production / Keck D. W., Russell R. O. ; appl. 13.02.2003 ; publ. 10.07.2003. |
| Language of full-text | русский |
| Полный текст статьи | Получить |
