Журналы →  Материалы электронной техники →  2011 →  №3 →  Назад

Материаловедение и технология. Полупроводники
Название Исследование спектров фотолюминесценции гетероструктур CdxHg1–xTe с квантовыми ямами
Автор Д. И. Горн, А. В. Войцеховский, И. И. Ижнин
Информация об авторе Д. И. Горн; А. В. Войцеховский, Томский государственный университет; И. И. Ижнин, НПО «Карат», Украина.
Реферат

Приведены результаты исследований фотолюминесценции наногетеростурктур на основе CdxHg1−xTe с квантовыми ямами. Рассмотрены структуры с одиночной квантовой ямой с составом x порядка 0,24 и шириной ямы a ≅ 12,5 нм. Экспериментально получены спектры фотолюминесценции. Проведен теоретический анализ полученных спектров, рассчитаны энергии уровней размерного квантования, а также вероятности различных оптических переходов. Выявлены доминирующие излучательные механизмы.

Работа выполнена в рамках реализации ФЦП «Научные и научно−педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 годы (ГК П281, П234, П1662, 02.740.11.0444, 02.740.11.0562), поддержена проектом в рамках АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы (2009—2010 годы)» (рег. № 2.1.2/12459), а также по гранту НШ−4297.2010.2.

Ключевые слова Квантовая яма, теллурид−кадмия−ртути, фотолюминесценция, зонная диаграмма, размерное квантование, время жизни, излучательная рекомбинация, Оже−рекомбинация, интегралы перекрытия.
Библиографический список

1. Monterrat, E. Optical spectroscopy of CdHgTe/CdTe quantum wells and superlattices / E. Monterrat, L. Ulmer, N. Magnea, H. Mariette, J. L. Pautrat, K. Kheng, F. Fuchs // Semicond. Sci. Technol. − 1993. − V. 8. − P. 261—265.
2. Любченко, А. В. Физические основы полупроводниковой ИК−фотоэлектроники. Современные тенденции, новые материалы / А. В. Любченко, Е. А. Сальков, Ф. Ф. Сизов. − Киев: Наукова думка, 1984. − 256 с.
3. Sochinskii, N. V. Infrared photoluminescence imaging of infrared materials: HgCdTe/Cd(Zn)Te heterostructures / N. V. Sochinskii, V. N. Babentsov, P. J. McNally, A. Dundee, C. Corsi.// Infrared Physics & Technology. − 2004. − V. 46. P. 181—184.
4. Polla, D. L. Below band−gap photoluminescence of CdxHg1−xTe / D. L. Polla, R. L. Aggarwal // Appl. Phys. Lett. − 1984. − V. 44, N 8. − P. 775—776.
5. Mahavadi, K. K. Photoluminescence from CdTe/Hg1−yCdyTe/Hg1−xCdxTe separate confinement heterostructures / K. K. Mahavadi, M. D. Lange, J. P. Faurie, J. Nagle // Ibid. − 1989. − V. 54, N 25. − P. 2580—2582.
6. de Paula, A. M. Interband and intersubband absorption in HgCdTe multiple quantum wells / A. M. de Paula, C. R. M. de Oliveira // Phys. Rev. B. − 1999. − V. 59, N 15. − P. 10158—10164.
7. Bangert, E. The optical absorption coefficient of HgTe—CdTe superlattices – theory and experiment / E. Bangert, P. Boege, V. Latussek, G. Landwehr // Semicond. Sci. Technol. − 1993. − V. 8. − P. 99—101.
8. Воробьев, Л. Е. Оптические свойства наноструктур / Л. Е. Воробьев, Е. Л. Ивченко, Д. А. Фирсов − СПб. : Наука, 2001. − 188 с.
9. Горн, Д. И. Расчет зонных диаграмм варизонных структур КРТ с учетом изменения электронного сродства при изменении состава / Д. И. Горн, С. Н. Несмелов, А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко // Изв. вузов: Физика. − 2008. − № 9/3. − С. 134—137.
10. Баженов, Н. Л. Излучательная рекомбинация на гетеро-границе II типа в разъединенной гетероструктуре p−GaInAsSb / p−InAs при импульсном возбуждении / Н. Л. Баженов, Г. Г. Зегря, М. П. Михайлова, К. Д. Моисеев, В. А. Смирнов, О. Ю. Соловьева, Ю. П. Яковлев // Физика и техника полупроводников. − 1997. − Т. 31, № 6. − С. 658—661.

Language of full-text русский
Полный текст статьи Получить
Назад