МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ПОЛУПРОВОДНИКИ | |
ArticleName | Расслоение твердого раствора GeSi на подложках GaAs и Si |
ArticleAuthor | Е. Ф. Венгер, Л. А. Матвеева, П. Л. Нелюба |
ArticleAuthorData | Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины: Е. Ф. Венгер Л. А. Матвеева П. Л. Нелюба |
Abstract | Изучены электронные, оптические и механические свойства гетеросистем Ge1−xSix на подложках GaAs (х = 0÷0,04) и Si (х = 0,75). Исследования проводили с помощью модуляционной спектроскопии электроотражения света для пленок и подложек, классической спектроскопии в области собственного поглощения пленок, измерения кривизны гетеросистем для определения знака и величины внутренних механических напряжений в них. Установлено изменение состава твердого раствора с образованием новых структур как в процессе осаждения пленок, так и под влиянием γ−облучения. Найдена возможность уменьшения внутренних механических напряжений и улучшения электронных параметров пленки и подложки на границе раздела, а также получения гетеросистем с твердым раствором без деформации изгиба. |
keywords | Гетероструктуры, твердые растворы GeSi, γ−облучение, элетроотражение, релаксация механических напряжений |
References | 1. Конакова, Р. В. Влияние однородности твердого раствора Ge1−xSix на выход годных ЛПД−диодов / Р. В. Конакова, Л. А. Матвеева, Ю. А. Тхорик // Материалы VI координационного совещания по исследованию и применению сплавов кремний—германий − Тбилиси, 1986. − С. 84. |
Language of full-text | russian |
Full content | Buy |