НИИПФП им. А. Н. Севченко БГУ, Беларусь:

Ф. Ф. Комаров

А. Ф.Комаров

А. М. Миронов

Ю. В. Макаревич

С. А. Мискевич

Институт математики НАН Беларуси:

Г. М. Заяц

Рассмотрены физико−математические модели и численные алгоритмы, позволяющие достаточно точно моделировать современные технологические процессы, такие как низкоэнергетическая ионная имплантация и быстрая термообработка. Разработанный на основе этих моделей программный комплекс, интегрированный в систему сквозного моделирования процессов и приборов интегральной электроники Silvaco ATHENA, дает возможность использовать модели и методы расчета, альтернативные реализованным в известных программных продуктах, главным образом в решении задач с малой глубиной формируемых легированных областей.

1. Girginoudi, D. Studies of ultra shallow n⁺—p−junctions formed by low−energy As−implantation / D. Girginoudi, N. Georguolas, A. Thanailakis, E.A. Polycroniadis // Mater. Sci. and Eng. B. − 2004. − V. 114–115. − P. 381—385.
2. Solmi, S. Transient enhanced diffusion of As in Si / S. Solmi, M. Ferri, M. Bersani // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94, N 8. − P. 4950—4955.
3. Ruffell, A. Annealing behavior of low−energy ion−implanted P in Si / A. Ruffell, I. V. Mitchell, P. Simpson // Ibid. − 2005. − V. 97. − P. 123518 1−6.
4. Komarov, F. F. Mechanisms of arsenic clustering in silicon / F. F. Komarov, O. I. Velichko, V. A. Dobrushkin, A. M. Mironov // Phys. Rev. − 2006. − V. 74. − P. 035205−1—035205−10.
5. Komarov, F. F. 2D modelling of the diffusion of low−energy implanted arsenic in silicon at rapid thermal annealing / F. F. Komarov, A. M. Mironov, G. M. Zayats, V. A. Tsurko, O. I. Velicko, A. F. Komarov, A. I. Belous // Vacuum. − 2007. − V. 81. − P. 1184—1187.
6. Мильчанин, О. В. Улучшение параметров мелких p⁺—n−переходов в кремнии путем дополнительных имплантаций ионов углерода и ступенчатых термообработок / О. В. Мильчанин, Ф. Ф. Комаров, В. И. Плебанович, П. И. Гайдук, А. Ф. Комаров // Докл. НАН Беларуси. −2007. − Т. 51, № 2. − С. 40—44.

7. Комаров, Ф. Ф. Формирование однородно легированных слоев в металлах и полупроводниках методом полиэнергетической высокодозной ионной имплантации / Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов // Там же. − 2007. − Т. 51, № 3. − С. 52—56.
8. Komarov, F. F. Simulation of rapid thermal annealing of low−energy implanted arsenic in silicon / F. F. Komarov, A. F. Komarov, A. M. Mironov, G. M. Zayats, V. A. Tsurko, O. I. Velichko // Phys. and Chem. of Solid State. − 2007. − V. 8, N 3. − P. 494—499.
9. Mironov, A. M. Modelling of low−energy−implanted phosphorus diffusion during rapid thermal processing of the semiconductor structures / A. M. Mironov, F. F. Komarov, A. F. Komarov, V. A. Tsurko, G. M. Zayats, O. I. Velichko // Vacuum. − 2009. − V. 83. − P. S127—S130.
10. Комаров, Ф. Ф. Моделирование процесса быстрого отжига кремниевых структур, имплантированных бором и бором с углеродом / Ф. Ф. Комаров, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, Г. М. Заяц // Материалы Седьмой Междунар. конф. «Автоматизация проектирования дискретных систем». − Минск, 2010. − C. 370—376.
11. Буренков, А. Ф. Пространственные распределения энергии, выделенной в каскаде атомных столкновений в твердых телах / А. Ф. Буренков, Ф. Ф. Комаров, М. А. Кумахов. − М. : Энергоатомиздат, 1985. − 245 с.
12. Hobler, G. Two−dimensional modelling of ion implantation with spatial moments / G. Hobler, E. Langer, S. Selberherr // Solid−State Electronics. − 1987. − V. 30, N 4. − P. 445—455.
13. Burenkov, A. F. Two−dimensional local ion implantation distribution / A. F. Burenkov, A. G. Kurganov, G. G. Konoplyanik // Surface Sciences. − 1989. − V. 8. − P. 52.
14. Lorenz J., Simulation of the lateral spread of implanted ions: theory. / Lorenz J., Kruger W., Barthel A. // Proc. NASECODE−VI − Boole Press, 1989. − P. 513—520.
15. Parab, K. B. Analysis of ultra−shallow doping profiles obtained by low energy ion implantation / K. B. Parab, D. H. Yang, S. J. Morris, S. Tian, A. F. Tasch, D. Kamenitsa, R. Simonton, C. Magee // J. Vac. Sci. and Techn. B. − 1996. − V. 4, N 1. − P. 260.
16. Fedotov, A. K. Set of equations for stress−mediated evolution of the nonequilibrium dopant−defect system in semiconductor crystals / A. K. Fedotov, O. I. Velichko, V. A. Dobrushkin // J. Alloys and Compounds. − 2004. − V. 382, Iss. 1–2. − P. 283—287.
17. Komarov, F. F. Numerical algorithms for modeling of diffusion of As implanted in Si at low energies and high fluences / F. F. Komarov, O. I. Velichko, A. M. Mironov, V. A. Tsurko, G. M. Zayats // Proc. SPIE. − 2006. − V. 6260. − P. 566—574.
18. Griffin, P. B. Doping and damage dose dependence of implant induced TED below the amorphization threshold / P. B. Griffin, R. F. Lever, P. A. Packan, J. D. Plummer // Appl. Phys. Lett. − 1994. − V. 64, N 10. − P. 1242.
19. Самарский, А. А. Теория разностных схем / A. A. Самарский. − М.: Наука, 1977. − 656 с.
20. Komarov, F. F. Numerical simulation of impurity diffusion at the formation of ultrashallow doped areas in semiconductors / F. F. Komarov, A. F. Komarov, A. M. Mironov, O. I. Velichko, V. A. Tsurko, G. M. Zayats // J. Nonlinear Phenomena in Complex Systems. − 2010. − V. 13, N 4. − P. 389—395.
21. Величко, О. И. Моделирование диффузии мышьяка в системе SiO₂/Si при низкоэнергетической имплантации и коротком термическом отжиге / О. И. Величко, Г. М. Заяц, А. Ф. Комаров, А. М. Миронов, В. А. Цурко // Материалы VII Междунар. конф. «Взаимодействие излучений с твердым телом». − Минск (Беларусь), 2007. − C. 96—98.
22. Velichko, O. I. Modeling of the transient interstitial diffusion of implanted atoms during low−temperature annealing of silicon substrates / O. I. Velichko, A. P. Kavaliova // Physica B. − 2012. − V. 407. − P. 2176—2184.
23. Boucard, F. A. Comprehensive solution for simulating ultra−shallow junctions: From high dose/low energy implant to diffusion annealing / F. Boucard, F. Roger, I. Chakarov, V. Zhuk, M. Temkin, X. Montagner, E. Guichard, D. Mathiot // Mater. Sci. and Eng. B. − 2005. − V. 124–125. − P. 409—414.