ФГУП «Федеральный научно–производственный центр Научно–исследовательский институт измерительных систем им. Ю. Е. Седакова»:

О. П. Гуськова

Е. Л. Шоболов

Н. Д. Абросимова

Нижегородский государственный технический университет им. Р. Е. Алексеева:

В. М. Воротынцев

Представлены результаты исследования влияния имплантации германия в пирогенный оксид на процессы накопления заряда при воздействии ионизирующего излучения. Проведен теоретический анализ процессов встраивания германия в систему «диоксид кремния на кремнии». Показано, что германию энергетически выгодно встраиваться в насыщенный кремнием нестехио-метрический оксид (на границе «кремний — диоксид кремния») и формировать нанокластеры в объеме SiO₂.

1. Никифоров, А. Ю. Радиационные эффекты в КМОП ИС / А. Ю. Никифоров, В. А. Телец, А. И. Чумаков − М. : Радио и связь, 1994. − 165 с.
2. Barnaby, H. J. Total−ionizing−dose effects in modern CMOS technologies / H. J. Barnaby // IEEE Transactions on Nuclear Sci. − 2006. − V. 53, N 6. − P. 3103—3121.
3. Николаев, Д. В. Накопление заряда в диэлектрике и состояния на границах структур кремний−на−изоляторе при облучении электронами и gamma−квантами / Д. В. Николаев, И. В. Антонова, О. В. Наумова, В. П. Попов, С. А. Смагулова // Физика и техника полупроводников. − 2003. − Т. 37, вып. 4. − С. 443—449.
4. Пат. США 5.795.813.
5. Гуртов, В. А. Твердотельная электроника / В. А. Гуртов − Петрозаводск : Петр. ГУ, 2004. − 312 с.
6. Frisch M. J. Gaussian 03. Revision C.01 / Frisch M. J., Trucks G. W., Schlegel H. B. et al. − Wallingford (CT) : Gaussian Inc., 2004.
7. Lee, C. Development of the Colle−Salvetti correlation−energy formula into a functional of the electron density / C. Lee, W. Yang, R. G. Parr // Phys. Rev. B. − 1988. − V. 37, Iss. 2. − P. 785—789.
8. Benson, S. W. / S. W. Benson // J. Chem. Educ. − 1965. − V. 42. − P. 502.
9. Baroni, S. / S. Baroni, A. D. Corso, S. D. Gironcoli // Quantum ESPRESSO, ver. 4.0.4.
10. Markwitz, A. Homogeneously size distributed Ge nanoclusters embedded in SiO₂ layers produced by ion beam synthesis / A. Markwitz, L. Rebohle, H. Hofmeister, W. Skorupa // Nucl. Instrum. and Meth. in Phys. Res. B. − 1999. − V. 147. − P. 361—366.
11. Nazarov, A. Trapping of negative and positive charges in Ge⁺ ion implanted silicon dioxide layers subjected to high−field electron injection / A. Nazarov, T. Gebel, L. Rebohle // J. Appl. Phys. − 2003. − V. 94. − P. 4440—4448.