Физико−технический институт РАН им. А. Ф. Иоффе

И. Л. Шульпина

НПО «ФИД−Техника», ООО «Силовые полупроводники»

В. А. Козлов

Методами рентгеновской дифракционной топографии исследованы дефекты в многослойных эпитаксиальных структурах на основе кремния, предназначенных для использования в качестве исходного материала для изготовления силовых эпитаксиально−диффузионных полупроводниковых приборов. Показано, что основными дефектами в исходных эпитаксиальных слоях являются сетки дислокаций с неравномерным распределением дислокаций как по толщине, так и по площади слоев в виде плотных рядов (дислокационных стенок) или полос скольжения, оказывающих влияние на электрические характеристики силовых приборов.

Статья написана по материалам докладов, представленных на Международных конференциях XTOP−2012 и «Кремний−2012» (г. Санкт−Петербург).

1. Боуэн, Д. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Д. К. Боуэн, Б. К. Таннер. − СПб. : Наука, 2002. − 274 с.
2. Шульпина, И. Л. Диагностика кремния методами рентгеновской топографии / И. Л. Шульпина // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2001. − № 4. − С. 73—76.
3. Шульпина, И. Л. Некоторые возможности рентгеновской топографии для исследования и контроля технологических дефектов в кремнии / И. Л. Шульпина // Кристаллография. − 1992. − Т. 37, вып. 2. − С. 451—457.
4. Анфимов, И. М. Однородность распределения удельного электросопротивления в монокристаллическом кремнии, выращенном методом Чохральского / И. М. Анфимов, В. С. Бердников, Е. А. Выговская, С. П. Кобелева, А. А. Смирнов, Ю. В. Осипов, О. В. Торопова, В. Н. Мурашев // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2007. − № 4. − С. 40—44.
5. Павлов, Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов. − М. : Высшая школа, 1987. − 239 с.
6. Козлов, В. А. Исследование дефектов в эпитаксиально−диффузионнных приборных структурах на основе кремния методами рентгеновской топографии / В. А. Козлов, И. Л. Шульпина // Тез. докл. VIII междунар. конф. «Кремний−2011» − М., 2011. − С. 140.
7. Шульпина, И. Л. Возможности рентгеновской топографии в исследовании многослойных приборных структур на основе кремния / И. Л. Шульпина, В. А. Козлов // Тез. докл. V Междунар. семинара «Современные методы анализа дифракционных данных». − Великий Новгород, 2011. − С. 193—194.
8. Kittler, M. Gettering and defect engineering in semiconductor technology / M. Kittler, H. Richter // XIII: GADEST 2009: Рroc. of the XIII−th Int. Autumn Meeting // Solid state phenomena. − 2010. − V. 156–158. − 592 p.