Сибирский физико–технический институт Томского государственного университета

А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух

Экспериментально исследованы электрофизические и фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе HgCdTe, полученного методом молекулярнолучевой эпитаксии, с неоднородным распределением состава. Показано, что для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21÷0,23) приповерхностные варизонные слои с увеличенным содержанием СdTe на поверхности сильно влияют на зависимости емкости и фотоЭДС от напряжения смещения и частоты. Исследованы характеристики МДП-структур на основе n-Hg_0,7Cd_0,3Te с периодически расположенными областями резко повышенного содержания CdTe барьерного типа и показано, что эти области оказывают влияние на характеристики МДП-структур при их расположении вблизи границы раздела диэлектрик—полупроводник. Экспериментально изучены электрические свойства МДПструктур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,62÷0,73) с областями пониженного содержания CdTe в приповерхностной области типа потенциальных ям.

Авторы выражают благодарность сотрудникам ИФП СО РАН В. С. Варавину, С. А. Дворецкому, Н. Н. Михайлову, Ю. Г. Сидорову, В В. Васильеву за предоставленные полупроводниковые структуры.
Работа выполнена в рамках реализации ФЦП «Научные и научнопедагогические кадры инновационной России» на 20092013 годы (ГК 02.740.11.0444, 02.740.11.0562), поддержена проектом в рамках АВЦП «Развитие научного потенциала высшей школы (2009—2011 годы)» (рег. № 2.1.2/12459), а также грантом НШ512.2012.2.
Исследования выполнены при поддержке ФЦП Министерства образования и науки Российской Федерации по соглашениям № 14.В37.21.0074, № 14.В37.21.1177 и ГК № 14.514.11.4050 и по Госзаданию, рег. № 2.4218.2011.

1. Овсюк, В. Н. Матричные фотоприемные устройства инфракрасного диапазона. / В. Н. Овсюк, Г. Л. Курышев, Ю. Г. Сидоров и др.  Новосибирск : Наука, 2001. - 376 с.
2. Войцеховский, А. В. Время жизни носителей заряда в структурах на основе Hg_1-xCd_xTe (x = 0,22), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, Ю. А. Денисов, А. П. Коханенко, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, В. Т. Либерман, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров // Физика и техника полупроводников. - 1997. - № 7. - С. 774—776.
3. Войцеховский, А. В. Свойства МДП структур на основе варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев // Там же. - 2008. - № 11. - С. 1327—1332.
4. Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические характеристики МДПструктур на основе варизонного n-HgCdTe (x = 0,21÷0,23) / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Ю. Г. Сидоров, В. В. Васильев, Т. И. Захарьяш, Ю. П. Машуков // Изв. вузов. Физика. - 2006. - № 10. - С. 70—80.
5. Goodwin, M. W. Metal-insulator-semiconductor properties of HgTe—CdTe superlattices» / M. W. Goodwin, M. A. Kinch, R. J. Koestner // J. Vacuum Sci. and Technol. - 1988. - V. 6, Iss. 4. P. 2685—2692.
6. Мынбаев, К. Д. Фотолюминесценция наногетероструктур на основе CdHgTe / К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, В. И. Иванов-Омский, А. В. Шиляев, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий, Ю. Г. Сидоров // Письма в ЖЭТФ.  2010.  Т. 36, № 23.  С. 70—77.
7. Пат. 2373606 РФ, МПК H01L 31/0296. Фоточувствительная структура / Ю. Г. Сидоров, С. А. Дворецкий, В. С. Варавин, Н. Н. Михайлов; заявитель и патентообладатель ИФП СО РАН.  № 2008138804/28; Заявл. 29.09.2008; Опубл. 20.11.2009.
8. Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические МДП-структуры из узкозонных полупроводников / А. В. Войцеховский, В. Н. Давыдов. - Томск : Радио и связь, 1990.  327 с.

9. Voitsekhovskii, A. Influence of near-surface gradedgap layers on electrical characteristics of MIS-structures based on MBE grown HgCdTe / A. Voitsekhovskii, S. Nesmelov, S. Dzyadukh, V. Varavin, S. Dvoretskii, N. Mikhailov, Y. Sidorov, M. Yakushev // Opto-Electronics Rev. - 2010. - V. 18, N 3. - P. 259—262.

10. Войцеховский, А. В. Влияние сопротивления объема эпитаксиальной пленки на вольт-фарадные характеристики МДП-структур HgCdTe/АОП и HgCdTe/SiO₂/Si₃N₄ / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Изв. вузов. Физика. - 2005. - № 6. - С. 31—37.