ЭПИТАКСИАЛЬНЫЕ СЛОИ И МНОГОСЛОЙНЫЕ КОМПОЗИЦИИ | |
Название | Исследование процесса термической активации акцепторной примеси в эпитаксиальных слоях GaN : Mg |
Автор | А. В. Мазалов, Д. Р. Сабитов, В. А. Курешов, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Р. Х. Акчурин |
Информация об авторе | ООО «Сигм Плюс»: А. В. Мазалов Д. Р. Сабитов В. А. Курешов А. А. Падалица
ООО «Сигм Плюс», МИТХТ им. М. В Ломоносова: А. А. Мармалюк
МИТХТ им. М. В Ломоносова: Р. Х. Акчурин |
Реферат | Исследовано влияние условий термического отжига эпитаксиальных слоев GaN : Mg на активацию атомов акцепторной примеси. По результатам измерений методом Холла установлено, что с увеличением температуры отжига концентрация дырок возрастает, а подвижность уменьшается. Наименьшее значение удельного электрического сопротивления получено на образцах, отожженных при температуре 1000 oC. Быстрый термический отжиг (отжиг с высокой скоростью нагрева) позволяет существенно повысить эффективность процесса активации атомов магния в эпитаксиальных слоях GaN. Оптимальное время указанного процесса при температуре 1000 oC составило 1 мин. Показано, что концентрация дырок возросла в 4 раза по сравнению с образцами, подвергнутыми стандартному термическому отжигу. |
Ключевые слова | Нитрид галлия, GaN, МОС−гидридная эпитаксия, быстрый термический отжиг, бисциклопентадиенил магния, легирование, p−тип. |
Библиографический список | 1. Wide bandgap semiconductors. Fundamental properties and modern photonic and electronic devices / Ed. by K. Takahashi, A. Yoshikawa, A. Sndhu. − Springer−Verlag, 2007. − 460 p. |
Language of full-text | русский |
Полный текст статьи | Получить |