Рассмотрен способ повышения производительности процессов получения поликристаллического кремния методом водородного восстановления за счет увеличения площади поверхности исходных стержней-основ. Показано, что прирост производительности возможен при использовании основ с размерами, находящимися в определенном интервале, причем максимальный прирост будет при использовании стержней оптимальных поперечных размеров (диаметра). Получено аналитическое выражение для нахождения оптимального значения диаметра в зависимости от характеристик оборудования. В результате анализа выявлены характеристики оборудования и параметры процесса, наиболее влияющие на эффективность рассмотренного способа.

1. Иванов Л. С., Батов Д. В. // Высокочистые вещества.1994. № 5. С. 29–35.
2. Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О. и др. Технология полупроводникового кремния. — М. : Металлургия, 1992. — 408 с.
3. Елютин А. В., Попов В. П., Иванов Л. С. и др. // Высокочистые вещества. 1996. № 1. С. 92–101.
4. Mozer A. Solar Poly Silicon Market and Technology Challenges // Semicon Russia PV conf. Мoscow, 2–4 июня 2008.