Исследовано влияние тепловых условий выращивания методом Чохральского профильных монокристаллов кремния в виде тонкостенных полых цилиндров на их геометрическую форму и плотность дислокаций в структуре. Получены монокристаллы из высоколегированного кремния в виде тонкостенных труб, пригодные для изготовления на их основе силовых полупроводниковых приборов нового поколения.

1. Грехов, И. В. Кремниевая силовая электроника: состояние и перспективы развития / И. В. Грехов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2000. − № 4. − С. 9—15.
2. Агаларзаде, П. С. Основы конструирования и технологии обработки поверхности p—n−перехода / П. С. Агаларзаде, А. И. Петрин, С. О. Изитдинов − М. : Сов. радио, 1978. − 224 с.
3. А. с. СССР № 1207345. кл HAL 29/06, 1985 Полупроводниковый прибор / А. Ф. Монахов, А. А. Евсеев // Опубл. 10.06.97. Бюл. 16.
4. Кожитов, Л. В. Приборы и технология на основе непланарного кремния / Л. В. Кожитов, Т. Т. Кондратенко, В. В. Крапухин, Т. Я. Кондратенко // Новые материалы. − М. : МИСиС, 2002. − С. 157—184.
5. Чигир, C. Н. Исследование теплового поля процесса роста профильного монокристалла кремния на основе сопряженной математической модели / C. Н. Чигир, Л. В. Кожитов, Т. Т. Кондратенко, В. В. Крапухин // Сб. труд. IV Российско−Японского семинара «Перспективные технологии и оборудование для материаловедения микро и наноэлектроники» − Астрахань : АГУ, 2000. − С. 300—310.
6. Бердников, В. С. Моделирование гидродинамики расплава при вытягивании кристаллов с коническим фронтом и кольцевого сечения. / В. С. Бердников, В. Л. Борисов, В. А. Марков, В. И. Панченко // Теплофизика кристаллизации веществ и материалов. − Новосибирск, 1987. − с. 16—33.
7. Верезуб, Н. А. / Н. А. Верезуб, А. И. Простомолотов // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2000. − №3. − C. 28—34.
8. Боуэн, Б. К. Высокоразрешающая рентгеновская дифрактометрия и топография / Б. К. Боуэн, Д. К. Таннер − СПб. : Наука, 2002.