В рамках простой модели образования и роста двухуровневых пирамид, состоящих из 2D−островков, рассмотрена начальная стадия перехода от 2D− к 3D−росту. Показано, что характерное время перехода к 3D−росту может немонотонно зависеть от температуры. При высоких температурах формирование 3D−островка обеспечивается отрывом атомов из края 2D−островка на его поверхность, а при низких — переходом адсорбированных атомов с исходной поверхности через край 2D−островка, минуя положение в изломе. Последний механизм реализуется при слабой миграции адсорбированных атомов вдоль края островка, наличии барьера Швебеля и потенциальной ямы для адсорбированного атома на поверхности 2D−островка относительно исходной поверхности.

1. Brunner, K. Si/Ge nanostructures / К. Brunner // Rep. Prog. Phys. − 2002. − V. 65. − P. 27.
2. Markov, I. Mechanisms of epitaxial growth / I. Markov, S. Stoyanov // Contemp. Phys. − 1987. − V. 28. − P. 267.
3. Priester, C. Origin of self−assembled quantum dots in highly mismatched heteroepitaxy / C. Priester, M. Lannoo // Phys. Rev. Lett. − 1995. − V. 75, N 1. − P. 93—96.
4. Dobbs, H. T. Mean−field theory of quantum dot formation / H. T. Dobbs, D. D. Vvedensky, A. Zangwill, J. Johansson, N. Carlsson, W. Seifert // Phys. Rev. Lett. − 1997. − V.79, N 5 − P. 897—900.
5. Korutcheva, E. Coherent Stranski—Krastanov growth in 1+1 dimensions with anharmonic interactions: An equilibrium study / E. Korutcheva, A. M. Turiel, I. Markov // Phys. Rev. B. − 2000. − V. 61. − P. 16890.
6. Michely T. Islands, mounds and atoms. Patterns and processes in crystal growth far from equilibrium / T. Michely, J. Krug. − Heidelberg : Springer, 2004.
7. Stoyanov, S. Current−induced step bunching at vicinal surfaces during crystal sublimation / S. Stoyanov // Surf. Sci. − 1997. − V. 370 − P. 345.
8. Filimonov, S. N. Terrace−edge−kink model of atomic processes at the permeable steps / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Surf. Sci. − 2004. − V. 553. − P. 133.
9. Filimonov, S. N. Origin of step permeability in growth of coherently strained 2D−islands / S. N. Filimonov, Yu. Yu. Hervieu // Phys. Low−Dim. Struct. − 2002. − N 7/8. − P. 15.
10. Tersoff, J. Critical island size for layer−by−layer growth / J. Tersoff, A. W. Denier van der Gon, R. M. Tromp // Phys. Rev. Lett. − 1994. − V. 72, N 2. − P. 266—269.
11. Schwoebel, R. L. Step motion on crystal surfaces / R. L. Schwoebel, E. J. Shipsey // J. Appl. Phys. − 1966. − V. 37. − P. 3682.
12. Markov, I. Crystal growth for beginners / I. Markov. − Singapore : World Scientific, 2003.
13. Venables, J. A. Nucleation and growth of thin films / J. A. Venables, G. D. T. Spiller, M. Hanbücken // Rep. Prog. Phys. − 1984. − V. 47. − P. 399.
14. van de Walle, A. First−principles calculation of the effect of strain on the diffusion of Ge adatoms on Si and Ge(001) surfaces / A. van de Walle, M. Asta, P. W. Voorhees // Phys. Rev. B. − 2003. − V. 67. − P. 041308.
15. Barabasi, A. L. Self assembled island formation in heteroepitaxial growth / A. L. Barabasi // Appl. Phys. Lett. − 1997. − V. 70. − P. 2565.
16. Larsson, M. I. Surface diffusion mechanisms for strain−induced self−assembly / M. I. Larsson, K. Cho, B. M. Clemens // Phys. Rev. B. − 2004. − V. 69. − P. 155426.
17. Nikiforov, A. I. Wetting layer formation in superlattices with Ge quantum dots on Si(100) / A. I. Nikiforov, V. V. Ulyanov, V. A. Timofeev, O. P. Pchelyakov // Microelectronics J. − 2009. − V. 40. − P. 782.