• Acquire
Hide↑
Journals →  Материалы электронной техники →  2011 →  #1 →  Back

АТОМНАЯ СТРУКТУРА И МЕТОДЫ СТРУКТУРНЫХ ИССЛЕДОВАНИЙ
ArticleName Исследование атомарно–чистой поверхности InSe (0001) методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии
ArticleAuthor А. А. Волыхов, В. С. Неудачина, М. В. Харламова, Д. М. Иткис, Л. В. Яшина, А. И. Белогорохов
ArticleAuthorData А. А. Волыхов, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова, ОАО «Гиредмет»; В. С. Неудачина, ОАО «Гиредмет»; М. В. Харламова, Д. М. Иткис, Л. В. Яшина, Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; А. И. Белогорохов, ОАО «Гиредмет»
Abstract
Поверхность (0001) слоистых полупроводниковых кристаллов InSe исследована экспериментально при помощи рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, а также теоретически в рамках метода функционала электронной плотности с использованием периодических граничных условий. Обнаружено, что структура поверхностного слоя атомов и их состояние практически не отличаются от соответствующей структуры и состояния в объеме. Поверхность InSe (0001) устойчива к воздействию воздуха при продолжительной экспозиции, что делает данный материал перспективным для использования в качестве стандарта для определения состава при помощи электронной спектроскопии.
Работа выполнена при финансовой поддержке программы 1.2.1. Федерального агентства по образованию РФ (госконтракт П2307). Расчеты выполнены в Свободном университете (г. Берлин, Германия).
keywords Селенид индия, слоистые полупроводниковые кристаллы, рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия, поверхность
References

1. Liu, K. Y. Heteroepitaxial growth of layered semiconductor GaSe on a hydrogen-terminated Si(111) surface / K. Y. Liu, K. Ueno, Y. Fujikawa, K. Saiki, A. Koma // Jap. J. Appl. Phys. - 1993. - V. 32. - P. L434.
2. Le Thanh, V. Heteroepitaxy of GaSe layered semiconductor compound on Si(111) 7 × 7 substrate: a Van der Waals epitaxy? / V. Le Thanh, M. Eddrief, C. Sebenne, A. Sacuto, M. Balkanski // J. Cryst. Growth. - 1994. - V. 135. - P. 1.
3. Sánchez-Royo, J. F. Optical and photovoltaic properties of InSe thin films prepared by van der Waals epitaxy / J. F. Sánchez-Royo, A. Segura, O. Lang, E. Schaar-Gabriel, C. Pettenkofer, W. Jaegermann, L. Roa, A. Chevy // J. Appl. Phys. - 2001. - V. 90. - P. 2818.
4. Tiefenbacher, S. Epitaxial films of WS2 by metal organic van der Waals epitaxie / S. Tiefenbacher, H. Sehnert, C. Pettenkofer, W. Jaegermann // Surf. Sci. Lett. - 1994. - V. 318. - P. L1161.
5. Löher, T. Heteroepitaxial growth of lattice mismatched materials using layered compound buffer layers / T. Löher, K. Ueno, A. Koma // Appl. Surf. Sci. - 1998. - V. 130—132. - P. 334.
6. Ullrich, B. Optical and hybrid properties of the ZnSe/InSe/Si heterojunction / B. Ullrich, A. Koma, T. Löher, T. Kobayashi // Solid State Commun. - 1998. - V. 107. - P. 209.
7. Micocci, G. Electrical properties of n-GaSe single crystals doped with chlorine / G. Micocci, A. Serra, A. Tepore // J. Appl. Phys. - 1997. - V. 82. - P. 2365.
8. Aydinli, A. Donor-acceptor pair recombination in gallium sulfide / A. Aydinli, N. M. Gasanly, K. Göksen // Ibid. - 2000. - V. 88. - P. 7144.
9. Xin, Q. S. The deposition of a GaS epitaxial film on GaAs using an exchange reaction / Q. S. Xin, S. Conrad, X. Y. Zhu // Ibid. - 1996. - V. 69. - P. 1244.
10. Hariskos, D. Buffer layers in Cu(In,Ga)Se2 solar cells and modules / D. Hariskos, S. Spiering, M. Powalla // Thin Solid Films. - 2005. - V. 480—481. - P. 99.

11. Cuculescu, E. Study on the absorption spectra and extrinsic photoconductivity of Cu and Cd doped GaSe single-crystal films / E. Cuculescu, I. Evtodiev, M. Caraman, M. Rusu // J. Optoelectron. Adv. Mater. - 2006. - V. 8. - P. 1077.
12. Liu, K. Broadband terahertz wave detection with GaSe crystals / K. Liu, J. Xu, X.-C. Zhang // Appl. Phys. Lett. - 2004. - V. 85. - P. 863.
13. Balkanski, M. Semiconductor physics and applications / M. Balkanski, R. F. Wallis. - N. Y. : Oxford University Press, 2000. - Ch. 1.3.5.4. − P. 9—10.
14. Levy, F. Crystallography and crystal chemistry of materials with layered structures / F. Levy - Dordrecht : Reidel, 1976.
15. Lifkorman, A. Structure cristalline du monoséléniure d’indium InSe. / A. Lifkorman, D. Carre, J. Etienne, B. Bachet // Acta Crystallogr. B. - 1975. - V. 31. - P. 1252.

16. Shtanov, V. I. On the Bridgman growth of lead-tin selenide crystals with uniform tin distribution. / V. I. Shtanov, L. V. Yashina // J. Cryst. Growth. - 2009. - V. 311. - P. 3257.
17. Gaussian 09, Revision A.02 – Wallingord (CT): Gaussian, Inc., 2009.
18. Ohno, M. Particle-hole interaction effect on a core-level XPS spectrum II / M. Ohno // J. Electron Spectrosc. Relat. Phenom. - 2000. - V. 107. - P. 113.
19. Moretti G. Auger parameter and Wagner plot in the characterization of chemical states by X-ray photoelectron spectroscopy: a review / G. Moretti // Ibid. - 1998. - V. 95. - P. 95.
20. Briggs, D. Surface analysis by auger and X-ray photoelectron spectroscopy / D. Briggs, J. T. Grant - Chichester : IMPublications & Surface Spectra Ltd., 2003. - 899 p.
Language of full-text russian
Full content Buy
Back