Journals →
Tsvetnye Metally →
2009 →
#2 →
Back
Back
| ArticleName | On decrease of influence of heat convection on the quality of silicon monocrystals, growing via Chokhral'sky method |
| ArticleAuthor | Egorov S. G., Volyar R. N., Chervony I. F., Kirichenko A. G. |
| ArticleAuthorData | Egorov S. G., e-mail: egrv@rambler.ru. |
| Abstract | The basic opportunity of a melt height reduction in the crucible at the silicon single crystals growth by Czochral'sky method is investigated. At the reduction of a melt height in crucible the qualitative and quantitative change of streams movement velocity is observed. The stationary mode of development thermal convection is provided. |
| keywords | Chokhral'sky method, melt, heat convection, stationary conditions, speed of flux motion. |
| References | 1. Мильвидский М. Г. // Изв. вузов. Материалы электронной техники. 2000. № 1. С. 14–18. 2. Степченков В. Н., Голубенков Б. Ю. // Электронная техника. Сер. Материалы. 1982. Вып. 6. С. 44–47. 3. Степченков В. Н., Голубенков Б. Ю., Добрынин А. В. // Там же. Вып. 7. С. 25–28. 4. Мюллер Г. Выращивание кристаллов из расплава. Конвекция и неоднородности: пер. с англ. — М. : Мир, 1991. — 143 с. |
| Language of full-text | russian |
| Full content | Buy |
