Journals →  Материалы электронной техники →  2012 →  #2 →  Back

МАТЕРИАЛОВЕДЕНИЕ И ТЕХНОЛОГИЯ. ДИЭЛЕКТРИКИ
ArticleName Инициирование поляризованного состояния в тонких пленках ниобата лития, синтезированных на изолированные кремниевые подложки
ArticleAuthor Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская
ArticleAuthorData

ФГAОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

Д. А. Киселев, Р. Н. Жуков, А. С. Быков, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская

Abstract

Методом атомно−силовой микроскопии в режиме силовой микроскопии пьезоотклика и Кельвин−моде построены картины распределения индуцированного состояния и поверхностного потенциала в тонких пленках ниобата лития, полученных осаждением на оксидированную подложку Si (100) методом высокочастотного магнетронного распыления. Используя электрическое поле, прикладываемое с помощью проводящего кантилевера, показано, что возможно сформировать и затем визуализировать индуцированное состояние поляризации. Установлено, что при измерении в режиме Кельвин−моды индуцированное состояние сохраняется значительно дольше, чем в режиме силовой микроскопии пьезоотклика.

Работа выполнена при финансовой поддержке Минобрнауки России (контракт № 16.513.12.3023).
Исследования проведены на оборудовании ЦКП «Материаловедение и металлургия» на базе НИТУ «МИСиС» в рамках ФЦП «Исследования и разработки по приоритетным направлениям развития научно−технического комплекса России на 2007—2013 годы».

keywords Тонкие пленки, метод зонда Кельвина, силовая микроскопия пьезоотклика, поверхностный потенциал, ниобат лития
References

1. Feigelson, R. S. Epitaxial growth of lithium niobate thin films by the solid source MOCVD method / R. S. Feigelson // J. Cryst. Growth. − 1996. − V. 166. − P. 1.
2. Tsukada, I. Pulsed−laser deposition of LiNbO3 in low gas pressure using pure ozone / I. Tsukada, S. Higuchi. // Jap. J. Appl. Phys. − 2004. − V. 43. − P. 5307.
3. Lee, S. Y. Reduced optical losses in MOCVD grown lithium niobate thin films on sapphire by controlling nucleation density / S. Y. Lee, R. S. Feigelson // J. Cryst. Growth. − 1998. − V. 186. − P. 594.
4. Киселев, Д. А. Пьезо− и пироэлектрические петли гистерезиса униполярных тонких пленок цирконата−титаната свинца / Д. А. Киселев, А. Л. Холкин, А. А. Богомолов, О. Н. Сергеева, Е. Ю. Каптелов, И. П. Пронин // ПЖТФ. − 2008. − Т. 34. − С. 28.

5. Gautier, B. Nanoscale observation of the distribution of the polarization orientation of ferroelectric domains in lithium niobate thin films / B. Gautier, V. Bornand // Thin Solid Films − 2006. − V. 515. − P. 1592.
6. Bornand, V. Growth and nanoscale ferroelectric investigation of radiofrequency−sputtered LiNbO3 thin films / V. Bornand, B. Gautier, Ph. Papet // Mater. Chem. and Phys. − 2004. − V. 86. − P. 340.
7. Жуков, Р. Н. Распространение поляризации сегнетоэлектрических зерен в электрически изолированных пленках ниобата лития / Р. Н. Жуков, Д. А. Киселев, М. Д. Малинкович, Ю. Н. Пархоменко, Е. А. Выговская, О. В. Торопова // Изв. вузов. Материалы электрон. техники − 2011. − № 4. − С. 12—16.
8. Bornand, V. Growth technologies and studies of ferroelectric thin films−application to LiTaO3 and LiNbO3 materials / V. Bornand, Ph. Papet // Ferroelectrics. − 2003. − V. 288. − P. 187.
9. Jonscher, A. K. Universal relaxation law / A. K. Jonscher. − London : Chelsea Dielectric Press, 1996. − 415 p.
10. Hong, S. Principle of ferroelectric domain imaging using atomic force microscope / S. Hong, J. Woo, H. Shin, J. U. Jeon, Y. E. Pak, E. L. Colla, N. Setter, E. Kim, K. No // J. Appl. Phys. − 2001. − V. 89. − P. 1377.
11. Lim, D. G. Characteristics of LiNbO3 memory capacitors fabricated using a low thermal budget process / D. G. Lim, B. S. Jang, S. I. Moon, C. Y. Won, J. Yi // Solid−State Electr. − 2001. − V. 45. − P. 1159.
12. Gautier, B. Nanoscale study of the ferroelectric properties of SrBi2Nb2O9 thin films grown by pulsed laser deposition on epitaxial Pt electrodes using atomic force microscope / B. Gautier, J.−R. Duclereb, M. Guilloux−Viry // Appl. Surf. Sci. − 2003. − V. 217. − P. 108.

Language of full-text russian
Full content Buy
Back