ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

С. П. Кобелева

И. М. Анфимов
О. В. Торопова

Научно–производственное предприятие «Квант»

Б. В. Жалнин

Запорожская государственная инженерная академия, Украина

Т. В. Критская

Методом МОС−гидридной эпитаксии изготовлены структуры In_0,01Ga_0,99As/In_0,56Ga_0,44P/Ge, представляющие собой первый каскад трехкаскадных солнечных элементов A^IIIB^V/Ge. P—n−переход сформирован диффузией фосфора в германий, легированный галлием. Методом ВИМС получены профили фосфора и галлия в германии. Показано, что изменение потока фосфина не влияет на характер распределения фосфора и глубину p—n−перехода в германиевом каскаде.

Работа выполнена на оборудовании ЦКП «Металлургия и материаловедение» НИТУ МИСиС в рамках реализации ФЦП «Научные и научно−педагогические кадры инновационной России» на 2009—2013 годы.

1. Калюжный, Н. А. Германиевые субэлементы для многопереходных фотоэлектрических преобразователей GaInP/GaInAs/Ge / Н. А. Калюжный, А. С. Гудовских, В. В. Евстропов, В. М. Лантратов, С. А. Минтаиров, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, В. М. Андреев // ФТП. − 2010. − Т. 44, № 11. − С. 1568—1576.
2. Кобелева, С. П. Диффузия фосфора в германии на границе наногетероструктуры InGaP/Ge / С. П. Кобелева, Д. А. Кузьмин, С. Ю. Юрчук, В. Н. Мурашев, И. М. Анфимов, И. В. Щемеров, Б. В. Жалнин // Изв. вузов. Материалы электрон. техники. − 2011. − № 2. − С. 56—60.
3. Малкович, Р. Ш. К анализу координатно−зависимой диффузии / Р. Ш. Малкович // ЖТФ. − 2006. − Т. 76, № 2. − С. 137—140.