ФГАОУ ВПО «Национальный исследовательский технологический университет «МИСиС»

О. И. Рабинович

В. П. Сушков

Исследован эффект уменьшения квантового выхода InGaN светоизлучающих диодов при увеличении плотности тока. Определены причины, влияющие на этот эффект. Показаны способы уменьшения падения квантового выхода и положительные результаты применения кремниевых подложек в многокомпонентных наногетероструктурах для InGaN светоизлучающих диодов.

1. Jhou, Y. D. Nitride−based light emitting diode and photodetector dual function devices with InGaN/GaN multiple quantum well structures / Y. D. Jhou, C. H. Chen, R. W. Chuang, S. J. Chang, Y. K. Su, P. C. Chang,. P. C. Chen, H. Hung, S. M. Wang, C. L. Yu // Solid State Electronics − 2005. − V. 49. − P. 1347—1351.
2. Gao, F. Complexes, clustering, and native−defect−assisted diffusion of aluminum in silicon / F. Gao, E. J. Bylaska, W. J. Weber // Phys. Rev. B. − 2004. − V. 70. − P. 2452081—2452088.
3. Akasaki, I. Nitride semiconductors — impact on the future world / I. Akasaki // J. Cryst. Growth. − 2002. − V. 237–239. − P. 905—911.
4. Pankove, J. I. Photoemission from GaN / J. I. Pankove, H. Schade // Appl. Phys. Lett. − 1974. − V. 25, N 1. − P. 53—55.
5. Zukauskas, A. Quaternary AlInGaN MQWs for Ultraviolet LEDs / A. Zukauskas, M. S. Shur, R. Gaska // MRS Bulletin. – 2001. − V. 10. − P. 764—769.
6. Basic research needs for solid−state lighting. Report of the Basic Energy Sciences Workshop on Solid−State Lighting [Электронный ресурс]. Режим доступа: http://www.sc.doe.gov/bes/reports/files/SSL_rpt.pdf
7. Winston, D. W. Physical simulation of optoelectronic semiconductor devices. The thesis for the Doctor of Philosophy degree. / D. W. Winston // Department of Electrical and Computer Engineering of the University of Colorado, 1996.
8. Рабинович, О. И. Компьютерное моделирование InGaN светодиодов / О. И. Рабинович, В. П. Сушков // 5−я Всерос. конф. «Нитриды галлия, индия и алюминия – структуры и приборы». − СПб. : Политех. ун−т, 2007. − С. 81—82.
9. Rabinovich, O. I. New results of InGaN LED simulation / O. I. Rabinovich, S. G. Nikiforov, V. P. Sushkov // Proc. of SPIE V. 6468, Physics and Simulation of Optoelectronic Devices XV, San Jose, California, USA, 2007. − Р. 64680U−1—64680U−10.
10. Таблицы свойств материалов и сборник экспериментальных данных [Электронный ресурс] / Физико−Технический Институт им. А. Ф. Иоффе РАН – Режим доступа: http://www.matprop.ru
11. Van de Walle, Ch. G. Small valence−band offsets at GaN/InGaN heterojunctions / Ch. G. Van de Walle, J. Neugebauer // Appl. Phys. Lett. − 1997. − V. 70. − P. 2577—2579.
12. Adyr, F. G. Organometallic vapor phase epitaxial growth of GaN on ZrN/AlN/Si substrates / F. G. Adyr, T. E. Simpsion// Appl. Phys. Lett. − 2008. − V. 93. − Р. 023109—023111.
13. Технические данные и характеристики СИД и МКНГ / Compound Semiconductors [Электронный ресурс] − Режим доступа: http://www.compoundsemiconductor.net/csc/details.php?cat=news&id=19734144